Cтраница 3
Процесс запирания транзистора характеризуется теми же начальными, условиями, что и при однополярном управлении. [31]
![]() |
Изменение напряжений на транзисторе в процессе отпирания при двухполярном управлении. [32] |
Для сравнения на рис. 2 - 26 нанесена пунктиром кривая переходного процесса при однополярном управлении. [33]
Длительность второго интервала процесса запирания транзистора при двухполярном управлении совпадает с длительностью соответствующего интервала при однополярном управлении и составляет. [34]
На рис. 1 - 39 приведены кривые, характеризующие температурное изменение г3 транзисторов различных типов при однополярном управлении и сравнительную величину динамического сопротивления этих транзисторов. [35]
Следовательно, в случае, когда остаточный ток закрытого транзистора обусловлен в основном токами утечки, использование однополярного управления приводит к существенному уменьшению токовой составляющей нулевого уровня транзисторных модуляторов. [36]
![]() |
Усредненная зависимость. [37] |
На рис. 2 - 37 приведена усредненная кривая зависимости q3l от температуры для транзисторов типа П103 при однополярном управлении. [38]
Величина источника / ср определяется выражениями ( 2 - 143) и ( 2 - 146) для однополярного управления и ( 2 - 144) и ( 2 - 148) - для двухполярного. [39]
Кривые наглядно показывают, что при использовании двух-полярного управления амплитуда выброса при запирании транзистора заметно превышает амплитуду выброса при однополярном управлении. [40]
![]() |
Схема тпян. чис. топного мпл мятопа пиля ГЛ с конденсаторным сглаживающим фильтром. [41] |
Таким образом, приведенный пример показывает, что схема с двумя транзисторными ключами вида С-3 позволяет значительно расширить область применения однополярного управления в схемах транзисторных модуляторов. [42]
![]() |
Изменение напряжений на транзисторе в процессе запирания при двухполярном управлении.| К примеру расчета переходного процесса при запирании транзистора при двухполярном управлении. [43] |
Очевидно, что на третьем интервале время установления напряжения U3K при двухполярном управлении совпадает с временем установления этого напряжения при однополярном управлении. [44]
Очевидно, что амплитуда выброса напряжения U3K в процессе отпирания транзистора при двухполярном управлении может значительно превышать амплитуду соответствующего выброса при однополярном управлении. [45]