Однополярное управление

Cтраница 5

Германиевый транзистор с параметрами / э-н 3 - 10 - 6 а, Сэо 80 пф, Ско 120 пф, г 0 17 - Ю 6 сек, aN 0 95 имеет при тех же условиях величину t / cp /, равную 12 мкв при однополярном управлении и 1 мв при двухполярном. [61]

Кремниевые транзисторы типа П103 характеризуются настолько малым значением тока / Э, что даже при температуре 100 С величина этого тока составляет всего около 0 03 мка, и, следовательно, влияние обратных токов р-л-переходов на величину полного остаточного тока закрытого транзистора необходимо учитывать только при нормальном включении и однополярном управлении, и то лишь в тех случаях, когда транзисторные модуляторы должны работать при температурах выше 80 ч - - Ь Ю0 С. [62]

Учитывая, что токи 1Э - Я и / К Н, определяющие значения этих граничных напряжений, увеличиваются примерно вдвое при повышении температуры на 10 С, можно показать, что величина граничных напряжений имеет температурный коэффициент порядка - 2 мв / град и что уменьшение величины источника Ucp для случая однополярного управления составляет примерно 1 - 3 % при увеличении температуры на один градус. [63]

Поскольку соотношения, полученные для эквивалентных источников транзисторных ключей в структурно-компенсированных схемах модуляторов, формально совпадают с выражениями для эквивалентных источников транзисторных ключей в компенсированных схемах, то в случае применения в структурно-компенсированных схемах однотипных транзисторов с примерно одинаковыми параметрами все сказанное выше при обсуждении ( 4 - 18) и ( 4 - 19) об особенностях однополярного управления остается справедливым и для рассматриваемого случая. [64]

Первый из рассмотренных случаев характерен при использовании в качестве транзисторных ключей германиевых транзисторов, второй - при использовании кремниевых транзисторов. Поэтому переход на однополярное управление может уменьшить токовую составляющую нулевого уровня схем транзисторных модуляторов только при применении в качестве транзисторных ключей кремниевых транзисторов. [65]

Влияние однополярного или двухполярного управления на импульсную помеху. [66]

Эти выводы касаются работы транзисторов при двухполярном управлении при длительности фронта не более 10 мксек. Если имеет место однополярное управление, то картина несколько меняется. Имеет смысл использовать транзисторы ГТ109Ж и ПЗО при т ( 4 - ь 5) мксек. В этом случае при запирании транзистора выброс имеет величину порядка нескольких десятков микровольт. [67]

Страницы: 1 2 3 4 5