Уровень - легирование
Cтраница 1
Уровень легирования мал ( содержание примесей не более 1016 см §); взаимодействие между примесными атомами практически отсутствует, и газ носителей заряда должен подчиняться статистике Больцмана. [1]
Уровень легирования металла проволок и лент, предназначенных для наплавки первого слоя, устанавливается с учетом определенной доли участия основного металла в наплавленном. Значительное разбавление наплавляемого металла основным ( 20 - 30 %) способствует увеличению содержания в нем углерода и в ряде случаев повышению концентрации вредных примесей. Все это увеличивает вероятность образования горячих трещин в коррозионно-стойком покрытии. [2]
Уровень легирования эпитаксиального я-слоя выбирают исходя из противоречивых требований: для получения высокого пробивного напряжения и малой емкости перехода коллектор - база уровень легирования должен быть низким, а для получения низкого последовательного сопротивления коллекторной области - высоким. В большинстве случаев удельное сопротивление эпитаксиального слоя составляет 0 1 - 0 5Ом - см, а его толщина изменяется в пределах от 2 5 до 10 мкм. Использование тонких эпи-таксиальных слоев ( до 3 мкм) позволяет существенно уменьшить паразитные емкости и тем самым увеличить плотность размещения элементов и повысить максимальную рабочую частоту ИМС. [3]
Такой уровень легирования, при котором практически нет никаких взаимодействий между примесными атомами, а газ носителей заряда подчиняется статистике Больцмана, с успехом может быть назван малым уровнем легирования, а соответствующие полупроводники - слабо легированными. [4]
Если уровень легирования кремния велик и влиянием на электропроводность электронно-дырочных пар, образующихся за счет тепловой генерации из валентной зоны, можно пренебречь, то концентрация подвижных носителей заряда будет слабо зависеть от температуры. [5]
Такой уровень легирования Сг обеспечивает легкую пассивацию поверхности во многих агрессивных средах, связанных с производством нефтехимических продуктов. При повышении содержания хрома более 12 % коррозионная стойкость практически не увеличивается. Вместе с тем в этом случае имеет место проявление склонности стали к охрупчиванию и снижению прочности в связи с формированием в структуре значительного количества ферритной составляющей. Эти стали известны еще под названием полуферритных. По структуре мартенситно-ферритные стали соответствуют сплавам Fe - Сг. Количество б - феррита в сталях повышается с увеличением содержания Сг и снижением концентрации углерода. С введением углерода границы существования области у - твердых растворов сдвигаются в сторону более высокого содержания Сг. У 13 % - ных хромистых сталей С 0 25 % термокинетическая диаграмма распада аустенита состоит из двух областей превращения. При температурах выше 600 С в случае достаточно низкой скорости охлаждения возможно образование ферритной составляющей структуры. Ниже 400 С при более быстром охлаждении наблюдается бездиффузионное превращение аустенита в мартенсит. Количество образовавшегося мартенсита в каждом из указанных температурных интервалов зависит, главным образом, от скорости охлаждения и содержания углерода в стали. [6]
Обычно уровень легирования базовой области высокочастотных планарных транзисторов таков, что прокол не должен наблюдаться при любых напряжениях, не превосходящих напряжение пробоя перехода коллектор - база. Однако в тех случаях, когда на поверхность планарных структур при их изготовлении попадают посторонние частицы, особенно содержащие примесь фосфора, толщина базовой области под эмиттером может в отдельных точках оказаться очень тонкой и в этих местах при достаточно малых напряжениях будет происходить прокол. Поэтому, для того чтобы в мощных планарных транзисторах полностью исключить прокол, необходимо обеспечить достаточно низкий уровень загрязнений при проведении всех процессов диффузии и окисления. [7]
 |
Диод с тонким л-слоем и электрическое поле в нем при обратном напряжении.| Структура диода с тонким / - слоем и электрическое поле в нем. [8] |
Для уровня легирования 1014 / см3 Ес - 2 105 В / см и при Wv 100 мкм ( 10 - 2 см) получим t / npo6 1250 В. [9]
Если сопоставить уровень легирования с морфологией слоев в исследованном температурном интервале, то обнаруживается весьма интересная корреляция: наиболее чистым слоям соответствует отчетливо выраженный ступенчато-слоевой рельеф на поверхности. [11]
Путем варьирования уровня легирования п - и р-областей при сохранении высоких значений Ln вр-слое можно добиться максимальных значений Voc. В случае р-и-переходов, в которых перенос носителей осуществляется по рекомбинационно-гене-рационному механизму, зта оптимизация включает подбор значения Wj с учетом влияния уровня легирования в квазинейтральной области на время жизни в обедненном слое. [13]
Для увеличения VtlC необходимо повысить уровень легирования. [14]
Таким образом, с ростом уровня легирования эффективная собственная концентрация л эф сильно возрастает; резко увеличивается и концентрация неосновных носителей заряда. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5