Уровень - легирование
Cтраница 3
Как показано на рисунке, и прямой, и обратный токи систематически растут с повышением уровня легирования. [31]
Как видно из рис. 4.3.9 в обычных пленках a - Si: H с повышением уровня легирования В2Нб / 5Ш4 оптическая ширина запрещенной зоны быстро уменьшается, что является сильным ограничением в использовании этого материала в солнечных элементах. [32]
 |
ВАХ диодов Шоттки на a - Si. H 102 ] при различных уровнях легирования атомами Р, PH3 / SiH4. [33] |
Как показано на рисунке, и прямой, и обратный токи систематически растут с повышением уровня легирования. [34]
Как видно из рис. 4.3.9 в обычных пленках a - Si: H с повышением уровня легирования B2H6 / SiH4 оптическая ширина запрещенной зоны быстро уменьшается, что является сильным ограничением в использовании этого материала в солнечных элементах. [35]
Диффузионная длина определяется коэффициентом диффузии и временем жизни неосновных носителей заряда; она зависит от уровня легирования полупроводника и для различных полупроводниковых материалов находится в пределах от 10 - 5 см до нескольких миллиметров. [36]
Дальнейшие исследования показали, что образцы с алюминием проявляют такой эффект тем меньше, чем меньше уровень легирования алюминием, чем длительнее время реакции и чем выше температура реакции. [37]
Отсюда следует, что с повышением рабочей частоты концентрация носителей заряда, а следовательно, и уровень легирования могут быть увеличены. Уровень примесей, однако, не должен быть высоким, чтобы предотвратить заметное образование пространственного заряда. [38]
При отжиге источников, у которых диффузионный слой мышьяка был только с лицевой стороны пластины, уровень легирования приемников значительно ниже и не превышает 2 - Ю12 ат / см3 для приемника 6 ( см. рис. 2), причем в процессе эпитаксиального наращивания кремния количество примеси практически не изменялось. [39]
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( б транзистора ИМС со скры. [40] |
В частности, для увеличения коэффициента инжекции эмиттера и повышения пробивного напряжения перехода эмиттер - база уровень легирования базовой области необходимо понижать. [41]
Эти отличительные признаки проявляются более или менее, ярко независимо от способа выращивания, типа примеси и уровня легирования, а также диаметра монокристалла. [42]
Применение фильтров, позволяющих отделить образующиеся аэрозоли размером от 0 15 мкм и выше, показало, что уровень легирования эпитаксиальных слоев практически не изменяется. Однако при незначительной площади фильтра поры его быстро забиваются аэрозолями, возможно образование дополнительного сопротивления газовому потоку, и степень легирования уменьшается. Для поддержания постоянного уровня легирования необходима частая смена фильтров. [43]
 |
Зонные модели ( а-г гетероструктур pAlGaAs - pGaAs - nGaAs для преобразователей концентрированного солнечного излучения. [44] |
Необходимая для этого толщина d увеличивается с увеличением толщины области объемного заряда р-га-перехода и, следовательно, с уменьшением уровня легирования в контактирующих материалах. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5