Cтраница 5
Уравнение (6.31) определяет связь между AFSb А и AQ ( S в широком диапазоне изменения уровня фотовозбуждения в зависимости от емкости диэлектрика Сд и от уровня легирования полупроводниковой подложки. Его решение может быть получено численными методами. На рис. 6.4, где показаны теоретические кривые AFst ( Ар), видны следующие основные закономерности. Во-вторых, при больших инверсионных изгибах зон ( см. рис. 6.4, Ys0 - 28) влияние фактора прилипания на AFsz, резко ослабляется. Этот результат имеет следующее физическое обоснование. При сильной инверсии плотность подвижного заряда неосновных носителей настолько велика, что изменением общего заряда ОПЗ, обусловленного захватом на поверхностные состояния при освещении ( при типичных плотностях Nts в системе Si - SiO2), можно пренебречь. Наконец, изменение поверхностного изгиба зон ( при фиксированном А) весьма сильно зависит от начального поверхностного потенциала FSO и оказывается максимальным при инверсии: в этом случае даже малые уровни засветки ( соответствующие Ап 10 - 8) переводят ФЕ в нелинейный режим. [61]