Уровень - легирование
Cтраница 2
 |
ВАХ диодов Шоттки на a - Si. H 102 ] при различных уровнях легирования атомами Р, PH3 / SiH4. [16] |
Емкость диода повышается по мере роста уровня легирования. Во всех случаях емкость уменьшается с повышением обратного напряжения. Этот факт свидетельствует о том, что обедненный слой распространяется в объем таким же образом, как и в кристаллическом полупроводнике. [17]
В обозначениях типов структур индекс соответствует увеличению уровня легирования относительно некоторого уровня п, индекс - характеризует другой тип проводимости, индекс - полуизолирующий материал. [19]
Как отмечалось в типичных для практики случаях, уровень легирования п - и р-областей диодов существенно различен. [20]
 |
Зависимость коэффициента пере. [21] |
На основании полученных результатов можно заключить, что уровень легирования оловом в открытом методе зависит от скорости роста, причем зависимость эта проходит через минимум при скоростях роста 0 2 мкм / мин. [22]
Из графика видно, что в принятой системе координат уровень легирования от величины разрядного тока изменяется линейно до токов / р 500 мкА, затем происходит насыщение. [24]
Подобно пленкам БФСС скорости травления пленок БСС и ФСС зависят от уровня легирования и условий осаждения. Они могут быть оптимизированы для одновременного получения высокой селективности жидкостного травления к термическому окислу и высокой селективности плазменного травления к монокремнию. [25]
Структура отливок литых перлитных сталей практически независимо от различия легирующих элементов и уровня легирования характеризуется крайней неоднородностью. Исследованиями [1,5] установлено, что микроструктура в пределах одной отливки состоит из обособленных включений феррита и скоплений перлита. В ряде случаев наблюдается видманшетовая ориентация феррита. Степень неоднородности литых сталей настолько велика, что обнаруживается даже в пределах исследуемых шлифов. Величина зерна достигает весьма значительных размеров и колеблется от 0 3 до 0 6 мм. [26]
Исследовано влияние газовой среды и параметров разряда на фракционный состав аэрозолей и на уровень легирования эпитаксиальных слоев. [27]
Отметим, что интенсивность и положение пиков селективного поглощения должны также зависеть от уровня легирования образца акцепторными примесями. Когда уровень Ферми движется в глубину валентной зоны, пик 1 - 3 смещается в сторону больших энергий, а пик 2 - 3 - в сторону меньших энергий, а низкоэнергетический край полосы / - 2 движется в сторону больших энер - л - 10 - 3сн - гий. Если ширина запрещенной зоны полупроводника меньше или сравнима с энергией спин-орбитального расщепления, то селективное поглощение дурками трудно различить на фоне собственного поглощения. [29]
С увеличением содержания РСЬ в газовой фазе положение плато, которое является показателем уровня легирования образца, изменяется, отражая возрастание концентрации фосфора в эпитаксиалыюм слое. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5