Уровень - легирование
Cтраница 4
Обнаружение этих эффектов по-новому ставит вопрос о критериях оптимальной технологии, оптимального выбора подложки, выбора легирующей примеси, уровня легирования. Исследования пленок, кроме того, открыли новые, ранее неизвестные способы управления термоэлектрической добротностью. Их реализация в принципе возможна и в объемных термоэлементах. [46]
Эта обедненная область добавляет от 0 2 до 0 5 нм к электрически эффективной толщине окисла в зависимости от уровня легирования поликремния, что приводит к нестабильной работе ИМС. [47]
Эксперименты, проведенные с применением таких спутников ( диаметр ге - области составлял 15 мм), показали, что уровень легирования на пластине, расположенной за таким / г - спутником, в 2 5 - 3 раза ниже. [48]
 |
Зависимость средней толщины слоя прореагировавшего кролшии от величины формирующего напряжения при анодном окислении. [49] |
АС /) нецелесообразно, так как оценка коэффициента пересчета и возможная зависимость этого коэффициента от толщины окисла [262] н уровня легирования кремния вносят дополнительные погрешности. [50]
Уровень легирования эпитаксиального я-слоя выбирают исходя из противоречивых требований: для получения высокого пробивного напряжения и малой емкости перехода коллектор - база уровень легирования должен быть низким, а для получения низкого последовательного сопротивления коллекторной области - высоким. В большинстве случаев удельное сопротивление эпитаксиального слоя составляет 0 1 - 0 5Ом - см, а его толщина изменяется в пределах от 2 5 до 10 мкм. Использование тонких эпи-таксиальных слоев ( до 3 мкм) позволяет существенно уменьшить паразитные емкости и тем самым увеличить плотность размещения элементов и повысить максимальную рабочую частоту ИМС. [51]
Второй член отражает наличие добавочной силы, связанной с изменением валентных сил в кристалле, и в данном случае связан с изменением уровня легирования от области к области. Важно отметить, что поток электронов связан именно с силой Fn, а значит, с полной напряженностью поля Е, действующей на электроны. [52]
Как показали расчеты для диффузионных слоев кремния при гауссовском распределении легирующей примеси, систематическая погрешность результатов измерения концентрации носителей заряда зависит от уровня легирования и достигает 18 % для электронов и 12 % для дырок при концентрациях 1018 - 1019 см-3 и уменьшается при снижении концентрации носителей заряда. [53]
Из рис. 3.35, в видно, что для уменьшения значения величины UOB, а следовательно, и порогового напряжения U0 нужно уменьшать уровень легирования р-подложки. [54]
В этом случае, как и в модели Карда и Янга, значение SeU уменьшается с ростом уровня возбуждения и увеличивается с ростом уровня легирования. [56]
Обнаружено, что концентрация электронов в растущем слое существенно зависит лишь от температуры подложки, а разность температур источника и подложки, ориентация подложки и уровень легирования источника оказывают значительно меньшее влияние. Поэтому зависимость концентрации электронов от температуры роста не может быть объяснена лишь переносом примесей источника через газовую фазу. По-видимому, эта зависимость определяется особенностями поведения кислорода в арсениде галлия при различных температурах. При низких температурах роста кислород проявляет себя в основном как примесь, дающая глубокий донорный уровень UbJ. GaAs, замещая атомы мышьяка либо образуя комплексы и создавая при этом мелкие допорные уровни [5], так что возникает обратное неравенство: NDNA. Это приводит к росту концентрации электронов в слоях, выращенных при высоких температурах. [57]
Одна из причин пониженной свариваемости перлитной и аустенитной сталей - образование хрупкого мартенситного слоя или карбидной гряды в объеме переходной кристаллизационной прослойки, у которой уровень легирования металла снижается, приближаясь к перлитной стали. Образование этой прослойки объясняется ухудшением перемешивания жидкого металла в пристеночных слоях. При небольшом запасе ау-стенитности металла шва толщина этой прослойки может достигнуть критической величины, при которой происходит хрупкое разрушение сварного соединения. [58]
Из выражений (1.40) и (1.51), приведенных в первой главе, следует, что инжекционный ток насыщения уменьшается, a Ux x возрастает при увеличении уровня легирования п - и р-областей. Однако при увеличении уровня легирования возрастает вероятность появления токов утечки и туннельного тока. [59]
 |
Зависимости ДК. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5