Фотолитография

Cтраница 1

Фотолитография - совокупность фотохимических процессов, применяющихся для получения необходимых размеров и конфигураций компонентов интегральных микросхем ( ИМС) и прочих электронных микроузлов. [1]

Фотолитография заключается в нанесении на пластину фоточувствительного слоя. Этот слой засвечивают через маску, и при проявлении на пластине образуется рисунок определенной конфигурации. При травлении пластины в плавиковой кислоте под рисунком SiO2 не удаляется, окна в защитной пленке SiO2 вскрываются только на неосвещенных участках. Фотолитография позволяет создать рисунки с размерами элементов не менее 2 мкм. Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография, позволяющая при засветке пластины электронным лучом создавать элементы с минимальными размерами до 0 1 мкм. [2]

Образование защитного рельефа. [3]

Фотолитография широко применяется в радиотехнической промышленности при изготовлении печатных плат. [5]

Фотолитография служит для травления окон в пассивирующем слое диоксида кремния на поверхности полупроводниковой пластины, через которые осуществляется локальное легирование полупроводниковой подложки. Диффузия является наиболее широко распространенным методом легирования и представляет собой перемещение атомов примеси в полупроводниковую подложку под действием градиента их концентрации при высокой температуре. В результате диффузии формируются области с различными типами электропроводности, образующие / о-п-переходы. [6]

Фотолитография включает след, стадии: нанесение слоя фоторезиста на пленку 81О2, покрывающую кремниевую пластину; экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора; проявление слоя фоторезиста; получение оксидной маски травлением пленки 8Ю2 через окна в проявленном фоторезисте; удаление фоторезиста. Используют фотолитографию контактную ( фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекционную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю пов-сть пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом ( шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию. [7]

Фотолитография в области глубокого ( коротковолнового) УФ-света рассматривается в микроэлектронике как техника ближайшего будущего. Предлагается использовать композиции на основе разнообразных групп светочувствительных веществ. Эти композиции непрерывно совершенствуются и в связи с актуальностью разработки ведутся в разных направлениях одновременно. [8]

Фотолитография - ключевой этап в производстве интегральны. Фоторезисты широко используют в полиграфической промышленности, для изготовления дифракционных решеток и мн. [9]

Фотолитография может быть последовательной, селективной, обратной и с использованием анодного окисления. [10]

Схема технологического процесса фотолитографии. [12]

Фотолитография может производиться бесконтактным и контактным способами. Бесконтактная фотолитография по сравнению с контактной дает более высокую степень интеграции более высокие требования к фотооборудованию. [13]

Образование двуокиси кремния на монокристалле кремния. [14]

Фотолитография позволяет получить защитный рисунок требуемой конфигурации на поверхности окисной пленки полупроводника. Фоторезисты должны также иметь высокую разрешающую способность и хорошую адгезию с поверхностью изделия. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5