Фотолитография

Cтраница 4

Особенностью фотолитографии для пленочных микросхем является широкий диапазон применяемых материалов и значительно большая, чем в полупроводниковом кристалле, площадь обработки, на которой необходимо получить рисунок. [46]

Стадии процесса фотолитографии. [47]

Метод фотолитографии состоит в следующем. Состав наносят пульверизатором или окунанием, а затем выравнивают слой фоторезиста на центрифуге. Иногда фоторезист наносят на металлическую пленку, осажденную на поверхность полупроводниковой пластины. [48]

Процесс фотолитографии [83] неоднократно упоминался как одно из важных средств современной полупроводниковой техники. [49]

Использование фотолитографии в планарной технологии не позволяет получить элементы размером меньше 1 мкм, хотя такие элементы необходимы для решения современных задач электроники. Дальнейшим шагом в развитии планарной технологии является использование электронной литографии, при которой прецизионные рисунки на поверхности создаются с помощью электронного пучка [93], избирательно структурирующего или де-структурирующего полимерную пленку. [50]

Возможности фотолитографии, например, ограничены длиной волны света. [51]

Основой фотолитографии является такой результат взаимодействия света ( обычно в области 340 - 430 нм) со светочувствительным компонентом фоторезиста, который обусловливает изменение физико-химических свойств участков экспонированного слоя, не защищенных маской ( шаблоном), в первую очередь - растворимости и летучести. [52]

Схема отдельного биполярного р-п - р - транзистора.| Принципиальный способ исполнения униполярного МДП-транзистора. [53]

Роль фотолитографии в полупроводниковой технике становится ясной, если обратиться к рассмотрению транзистора с р - - переходом. [54]

Схема проявления позитивного ( а и негативного ( б фоторезистов. [55]

Агрегат фотолитографии 4415 состоит из двенадцати установок, которые можно также использовать отдельно. Установки соединяются шлюзами и затворами, которые позволяют транспортировать полупроводниковые пластины из скафандра в скафандр без соприкосновения их с атмосферой помещения. В скафандрах создается контролируемая атмосфера - очищенный воздух или азот. На лицевых панелях столов смонтированы элементы управления и контрольные приборы; часть их находится снаружи вверху скафандров, а часть - внутри. [56]

Технология фотолитографии, традиционно используемая для изготовления ДОЭ, предусматривает квантование дифракционного микрорельефа по М уровням. При квантованной по L уровням функции ( f ( u) микрорельеф (5.174) становится квантованным ио Nq L N уровням. [57]

Метод фотолитографии обладает разрешающей способностью в 200 и более линий на миллиметр, что позволяет формировать элементы с размерами до 2 мкм. [58]

Способы уменьшения поперечного сопротивления коллекторного слоя с помощью низкоомных шунтов. [59]

Процесс фотолитографии неоднократно упоминался как одно из важных средств современной полупроводниковой техники. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5