Фотолитография

Cтраница 3

При фотолитографии второго и последующего слоев в установке совмещения и экспонирования производят совмещение отметок фотошаблона непосредственно с отметками на предыдущем слое. [32]

При фотолитографии хрома для резистивных слоев и подслоя целесообразно применение фоторезиста № 383, имеющего хорошую адгезию к хрому и обеспечивающего достаточную химическую стойкость при травлении рельефа хрома. [33]

При фотолитографии алюминия для проводников и обкладок конденсатора нанесение фоторезиста, сушка, проявление и тер-мозадубливание фоторезиста № 383 аналогичны этим процессам на хроме. [34]

При фотолитографии тантала, как показала зарубежная практика, применяют травители на основе азотной, серной, фосфорной кислот с обязательным присутствием плавиковой кислоты. Однако опыт работы показал, что присутствие плавиковой кислоты приводит к разрушению поверхности подложки. [35]

Методами фотолитографии в слое двуокиси кремния формируются окна, через которые диффузией в приповерхностную область монокристаллической кремниевой подложки ( эпитаксиальноро слоя) селективно внедряется определенное количество легирующей примеси. Диффузия примесей в полупроводник при высокой температуре приводит к образованию р - n - перехода на границе диффузионной области. Поскольку диффузия происходит не только в направлении, перпендикулярном к поверхности подложки, но и в боковых направлениях под край окисной маски, на поверхность подложки р - п-лереход выходит не на границе окна, а в области, отстоящей от нее на расстояние, примерно равное глубине залегания р - я-перехода в средней части окна. Это исключает возможность попадания в область р - n - перехода загрязнений через окно. [36]

Процесс фотолитографии начинается с изготовления негатива. На двухслойной пленке с прозрачной основой и зачерненной поверхностью вычерчивают необходимый рисунок. Делается это с помощью ручного или автоматического координатографа, который снимает непрозрачный слой в местах, где должны быть белые контуры. С негатива размером 1 м2 делают уменьшенный отпечаток с помощью специальной камеры. Обычно уменьшение производится в две-три ступени, пока отпечаток не достигнет нужных размеров. Окончательный отпечаток делают на фотопластинке и называют фотошаблоном. Стеклянная основа фотошаблона должна быть идеально чистой и плоскопараллельной. [37]

Технологическая схема типового фотолитографического процесса. [38]

Процесс фотолитографии состоит из ряда операций, сущность, назначение и последовательность которых являются, за редким исключением, общими для любого производства, где он применяется. На рис. 0 - 5 изображена технологическая схема типового фотолитографического процесса. [39]

Технологическая схема типового фотолитографического процесса. [40]

Процесс фотолитографии состоит из ряда операций, сущность, назначение и последовательность которых, за редким исключением, аналогичны для любого производства. На рис. 22 изображена технологическая схема типового фотолитографического процесса. [41]

Применение фотолитографии снимает много ограничений в отношении сложности конфигурации элементов тонкопленочной схемы. Этот способ является достаточно высокопроизводительным и создает наилучшие условия для производства резисторов с малыми погрешностями ( 15 % - ный разброс без подгонки резисторов) и высоким выходом годных. Это обусловлено тем, что, во-первых, на подложку наносят сплошные пленки материалов, что создает благоприятные условия для равномерного формирования слоев; во-вторых, когда резистивный слой получен с некоторыми отклонениями от заданного значения удельного сопротивления, можно применять набор компенсирующих фотошаблонов для изготовления резисторов. Последнее совершенно исключено в случае применения свободных и контактных масок; в-третьих, исключение процесса изготовления масок, маскодержателей и процесса совмещения под колпаком вакуумной установки ускоряет и удешевляет изготовление ИМС. Это особенно заметно, когда вместо нескольких масок и соответствующего числа напыления при изготовлении, например, сложных проводников, применяют одно напыление и один фотошаблон для процесса фотолитографии. [42]

Основой фотолитографии является такой результат взаимодействия света ( обычно в области 340 - 430 нм) со светочувствительным компонентом фоторезиста, который обусловливает изменение физико-химических свойств участков экспонированного слоя, не защищенных маской ( шаблоном), в первую очередь - растворимости и летучести. [43]

Схема отдельного биполярного р-п - р - транзистора. / - диоксид кремния. 2 - кремний. 3 - эмиттер. 4 - база. 5 - коллектор.| Прииципиальиый способ исполнения униполярного МДП-траизистора. [44]

Роль фотолитографии в полупроводниковой технике становится ясной, если обратиться к рассмотрению транзистора с р - - переходом. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5