Фотолитография

Cтраница 2

Фотолитография является одним из основных технологических процессов при производстве полупроводниковых микросхем. Ее широкое применение объясняется высокой воспроизводимостью и разрешающей способностью, позволяющей получить рисунок малых размеров, универсальностью и гибкостью метода, высокой производительностью при одновременном получении сотен заготовок. Весьма перспективным является замена экспонирования через маски воздействием на фоторезист электронного луча, создающего необходимый рисунок на поверхности фоторезиста. Этот метод позволяет получить окна шириной около 1 мкм при разрешающей способности 0 2 мкм. [16]

Объемный участок интегральной микросхемы с завершенными технологическими операциями. [17]

Фотолитография предшествует химическому травлению участков кристалла. [18]

Фотолитография занимает особое место в технологическом процессе и может повторяться до 12 - 15 раз при производстве БИС. Для определенного типа приборов создают комплект фотошаблонов, каждый из которых содержит взаимно совмещающиеся элементы изображения, в сумме воспроизводящие требуемую структуру прибора или микросхемы. [19]

Фотолитография, фотофрезерование представляют собой виды фотохимического способа печати. Через шаблон экспонируется светочувствительный слой, нанесенный на металл. Под действием излучения изменяется растворимость слоя в определенных растворителях, поэтому при проявлении определенные участки слоя растворяются и удаляются с поверхности заготовки. Оставшийся слой в виде рисунка, определенного шаблоном, после дополнительной термической обработки служит защитным слоем при последующей операции химического травления. Наиболее эффективны МГЛ сине-фиолетового и УФ излучения: ртутно-галлиевые, ртутно-свинцовые. В выходном окне облучателя предусмотрен затвор, открывающийся автоматически только на время экспонирования. Облучатель обеспечивает равномерное распределение облученности ( коэффициент неравномерности около 0 8 при высоте подвеса 1 м) на поверхности стандартных копировальных рам размером 1200X1450 и 670X740 мм. [20]

Фотолитография является одним из основных процессов изготовления ИС. Методами фотолитографии создаются требуемые рельефы пленок различных материалов. В процессе изготовления полупроводниковых ИС фотолитография используется для вскрытия окон в защитном слое SiOj и для удаления излишней части металлической пленки при формировании контактных площадок и соединительных проводников. Аналогичные операции вскрытия окон и удаления излишней части материала выполняются при изготовлении тонкопленочных ИС и ГИС, а также при изготовлении совмещенных ИС. [21]

Фотолитография тонких пленок, включая выбор фоторезиста, режимов экспонирования и проявления, выбор травителей и режимов химической обработки, требует индивидуальной технологии в зависимости от материалов пленки и подложки, толщины пленки, ее назначения и даже режимов ее напыления. [22]

Фотолитография коммутационного слоя осуществляется путем использования фоторезиста ФР-200 ( на основе резольной смолы) и травителей: серной кислоты для хрома и щелочного травителя для алюминия. Минимальная ширина линий нижнего коммутационного слоя и расстояние между ними составляют 50 мкм. Нанесение диэлектрического слоя моноокиси кремния толщиной 3 - 4 мкм осуществляется вакуумным испарением через маски на неподогретую подложку. [23]

Третья фотолитография позволяет вскрыть контактные окна под омические контакты областей истока и стока, после чего на очищенную поверхность схемы наносится алюминий. Четвертая фотолитография создает рисунок металлизации схемы. [24]

В фотолитографии используются рабочие фотошаблоны, являющиеся фотокопией эталояного фотошаблона. Затем ее покрывают фоторезистом и экспонируют через рабочий фотошаблон. После удаления с езасвеченных участков фоторезиста производят травление резистивного слоя. В конце процесса удаляют остатки задубленного фоторезиста. Элементы, сформированные методом фотолитографии с последующим травлением, отличаются высокой точностью и воспроизводимостью. [25]

При фотолитографии по меди для формирования разрядных шин используют фоторезист ФП-383 и травитель для меди следующего состава: хромовый ангидрид - 450 г; серная - кислота с удельным весом 1 84 - 160 мл; дистиллированная вода - 450 мл. Охлаждение ( до 80 С) также осуществляют в магнитном поле. Поверх многослойной системы, полученной в вакуумной камере, тем или иным способом монтируют адресные проводники. Далее избирательным травлением формируют адресные проводники. [26]

В фотолитографии химические изменения в фоторезисте инициируются светом. Эти изменения вызывают разрыв ( или образование) ковалентных связей в светочувствительных химических группах, закрепленных на полимерной структуре. Изменения в связях приводят к локальному увеличению ( или уменьшению) растворимости фоторезиста в подходящем растворителе. Воздействие света через маску приводит к формированию образа маски, который может быть проявлен простым промыванием. Обычно, однако, забывают, что эта простота достигается тщательным конструированием полимера с определенным фотохимическим поведением. [27]

В фотолитографии на полупроводниковых материалах применяемые фоторезисты в большинстве случаев содержат синтетическую полимерную основу. При содержании в фоторезисте KPR сухого вещества выше 7 % последний рекомендуется для получения толстых пленок при глубоком травлении. Основной его недостаток - трудность снятия пленки после дубления. KMER имеет ряд преимуществ по сравнению с фоторезистами на основе ПВЦ - высокую стойкость к буферным и сильным кислым травителям, более беспористую и гомогенную пленку. К недостаткам можно отнести склонность к тиксотропии и изменению вязкости при хранении, что приводит к изменению размеров изображения при его использовании. [28]

При фотолитографии рисунок микросхемы получается за счет гереноса изображения с фотошаблона на фоторезистивный слой, покрывающий пленку. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5