Фоточувствительность

Cтраница 1

Фоточувствительность в инфракрасной области спектра определяется тем, что при поверхностном истощении ( инверсия) исключается захват, ловушками на границе раздела полупроводник - диэлектрик дырок, образованных возбуждением электронов валентной зоны на незаполненные ПЭС. [1]

Фотоэлектронная чувствительность Ас для различных металлов в зависимости от длины волны падающего света [ Л. 18 ]. [2]

Фоточувствительность, выраженную в S IJL мка / лм, получают при освещении фотокатода неразложенным световым потоком от стандартного источника света и называют интегральной чувствительностью фотокатода. [3]

Фоточувствительность в далекой инфракрасной части спектра находится в некотором несоответствии с электрическими характеристиками перечисленных соединений. [4]

Спектры поглощения при комнатной температуре. ( По Гибсону. [5]

Фоточувствительность в далекой инфракрасной части спектра находится в некотором несоответствии с электрическими характеристиками перечисленных соединений. Ширину запретной зоны их, судя по температурному ходу темновой электропроводности, приходится оценить в 0.5 - 1 эл. [6]

Кривые спектральной чувствительности фотоприемника иа a - Si. Н ( 1 и a - Si. Gc. Н. ( GeH4 / SiH4 1 / 6 ( 2.| Структура фотоприемника со слоем a - Si. Ge. Н. [7]

Фоточувствительность можно повысить, сплавляя Si и Ge. Поэтому сочетание a - Si Ge: Н фотоприемника с полупроводниковым инжеА - ционным лазером позволит изготовить высокоскоростное малогабаритное лазерное ПУ. [8]

Фоточувствительность аналогична спектру поглощения, но сильно зависит от геометрического фактора. [9]

Кривые спектральной чувствительности фотоприемника иа a - Si. Н ( 1 и a - Si. Gc. Н. ( GeH4 / SiH4 1 / 6 ( 2.| Структура фотоприемника со слоем a - Si. Ge. Н. [10]

Фоточувствительность можно повысить, сплавляя Si и Ge. Поэтому сочетание a - Si Ge: Н фотоириемника с полупроводниковым инжеА - ционным лазером позволит изготовить высокоскоростное малогабаритное лазерное ПУ. [11]

Зависимость коэффициента усиления от энергии фотона для фоторезистора из GaP. Си Г137 ]. [12]

Фоточувствительность до энергий квантов hv 5 эВ совпадает с абсолютной токовой чувствительностью диодов с барьером Шотки. [13]

Фоточувствительность фотоэлемента равна 0 1 мА / лм, а освещенность - 100 лк. [14]

Схема переключателя, включаемого светом, и вольт-амперная характеристика тиристора без освещения ( 1 и с освещением ( 2. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5