Фоточувствительность

Cтраница 3

Фоточувствительность полимерных полупроводников увеличивается при введении в них сенсибилизаторов, красителей. [31]

Фоточувствительность УФ фотоприемников существенно зависит от эффективности разделения носителей тока, возбужденных коротковолновым светом в приповерхностной области. Жесткие условия накладываются на качество поверхности. Следует добиваться малой плотности поверхностных состояний, низкой скорости поверхностной рекомбинации, отсутствия нарушенного поверхностного слоя. [32]

Большой фоточувствительностью, простирающейся в инфракрасную область спектра, характеризуются полевые фотокатоды ( автофотока-тоды) из кремния, германия и арсени-да галлия с порогами собственной и примесной фотоэлектронной эмиссии, определяемыми соответственно шириной запрещенной зоны и минимальной глубиной залегания примесных уровней. [33]

Кватовая эффективность и абсорбция света сурьмяно-цезиевого слоя на кварце.| Спектральная характеристика. [34]

Повышенной фоточувствительностью наряду с сурьмяно-цезиевым фотокатодом обладает также сурьмяно-литиевый фотокатод. [35]

Структура многослойного фотоприемника. [36]

Однако фоточувствительность остается в допустимых пределах даже в диапазоне 750 - 780 им, когда в качестве источника света применяется инжекционный лазер. [37]

Найти фоточувствительность прибора, если напряжение, подведенное к нему, равно 15 В. [38]

Из-за фоточувствительности ДНФ-производных желательно проводить их синтез и хроматографический анализ в отсутствие прямого освещения. [39]

Определить фоточувствительность прибора, если напряжение, подведенное к нему, равно 15 В. [40]

Найти фоточувствительность прибора, если напряжение, подведенное к нему, равно 15 В. [41]

Все кривые фоточувствительности были получены освещением образцов А12О3 через монохроматор, начиная всегда от более длинных волн, что, как это будет видно позже, было важно для интерпретации результатов. [42]

Спектральное распределение эффективного квантового выхода Au - ra - Si-фотодиодов ( приведено к числу падающих фотонов. [43]

Их слабая фоточувствительность в УФ области спектра связана с поглощением коротковолнового излучения вблизи поверхности кремния. Коэффициент поглощения в УФ области превышает 105 см-1, поэтому большинство фотогенерированных носителей рекомбинирует, не доходя до р - n - перехода. Поверхностные дефекты, возникающие при обработке и окислении поверхности, а также при диффузии, определяют высокую скорость поверхностной рекомбинации. На уменьшении фоточувствительности в УФ области сказывается также и рост коэффициента отражения, зависящего не только от особенностей зонной структуры полупроводника, но и от качества обработки поверхности. [44]

Строение кпслородно-цезиевого катода на серебряной подкладке. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5