Фоточувствительность

Cтраница 4

Максимум фоточувствительности достигается при введении определенного количества серебра. [46]

Увеличение фоточувствительности под ультрафиолетовым освещением может быть связано с ионизацией полимерной молекулы и созданием локальных положительно заряженных центров, служащих ловушками фотоэлектронов. [47]

Наличие фоточувствительности у чистых ванадилпорфиринов объясняется, вероятно, высоким межмолекулярным взаимодействием. [48]

Спектральная характеристика фоточувствительности диода Шотки. [49]

Уменьшение фоточувствительности, обусловленное рекомбинационными потерями в объеме варизонной структуры, обычно наблюдается во всем диапазоне спектральной чувствительности. [50]

Время фоточувствительности структур на основе BSO, BGO и кристаллов группы А5В6 также определялось экспериментально по временной зависимости электрического тока через образец структуры [160, 163], так как формула (3.45) справедлива только в режиме питания прямоугольными импульсами. Оно было достаточно велико ( до 10 - г с), в результате чего структуры способны регистрировать низкие уровни световой интенсивности. [51]

Частотная зависимость добротности кремниевых ( а и. [52]

Коэффициент фоточувствительности фотоварикапа характеризует относительное изменение его емкости на единицу светового потока. [53]

Явление фоточувствительности наружных покровов обнаружено у отдельных представителей всех главных систематических групп беспозвоночных. По-видимому, оно часто встречается у водных животных, а у насекомых фоточувствительность играет важную роль в регуляции циркадианных ритмов. [54]

Как изменится фоточувствительность фоторезистора при изменении температуры среды от 300 до 350 К, если температурная характеристика фоторезистора имеет вид экспоненты, как и для терморезисторов, причем коэффициент Вт 5000 К. [55]

Вольтамперные характеристики германиевого фотодиода.| Зависимость чувствительности фотодиода от положения светового пятна относительно плоскости перехода. [56]

Так как фоточувствительность фототранзистора определяется в основном фоточувствительностью коллекторного перехода, то и фотодиод, и фототранзистор будут наиболее чувствительны к инфракрасной части спектра. Чувствительность в видимой части спектра составляет для германиевых приборов около 75 % максимальной чувствительности. [57]

Как изменится фоточувствительность фоторезистора при изменении температуры среды от 300 до 350 К, если температурная характеристка фоторезистора имеет вид экспоненты как и для терморезисторов, причем коэффициент Бт 5000 К. [58]

Схем устройства фотосопротивления ( а и схема его включения. [59]

Например, наибольшая фоточувствительность различных полупроводников падает на различные интервалы длин волн. Очень хорошими фотоэлектрическими свойствами обладает CdS. Он реагирует только на излучение с длиной волны 0 5 мкм, а его сопротивление при освещении может уменьшаться в миллион раз. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5