Фоточувствительность

Cтраница 2

Фоточувствительность S-диодов в области примесного поглощения усиливается значительно сильнее, чем в области собственного поглощения. [16]

Температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла ( а и подвижности дырок ( б монокристаллов GaSe. [17]

Фоточувствительность GaSe, измеренная при 300 и 70 К, имеет максимум в области длин волн 0 60 и 0 65 мк соответственно, при этом максимальное значение фоточувствительности при комнатной температуре сдвинуто в сторону более длинноволновой части спектра. Измерен коэффициент поглощения при 300 и 70 К. [18]

Температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла (. и подвижности дырок ( б монокристаллов GaSe. [19]

Фоточувствительность GaSe, измеренная при 300 и 70 К, имеет максимум в области длин волн 0 60 и 0 65 мк соответственно, при этом максимальное значение фото чувствительности при комнатной температуре сдвинуто в сторону более длинноволновой части спектра. Измерен коэффициент поглощения при 300 и 70 К. [20]

Фоточувствительность фотоэлемента равна 0 1 мА / лм, а освещенность - 100 лк. [21]

Фоточувствительность эмульсии невелика, но прямого попадания света следует избегать. Для экспонирования применяют ртутно-дуговые лампы. Время экспонирования около 5 мин. [22]

Фоточувствительность полимеров в требуемом диапазоне длин волн может быть повышена или же полоса поглощения полимера может быть сдвинута в сторону более длинных волн за счет добавки стабилизаторов или сенсибилизаторов. Эффект действия этих добавок определяется главным образом их энергетической связью с полимерной основой. Одна и та же по химическому строению добавка в различных полимерах может выполнять функцию как стабилизатора, так и сенсибилизатора. Возбуждение под действием света, полученное сенсибилизатором, способно в дальнейшем передаваться полимерной молекуле, инициируя фотосенсибилизированную химическую реакцию. [23]

Возникновение Фундируют в неосвещен.| Фотогальваномагнитный эффект. ab - ширина освещенной части ПП. эс и у - координаты. [24]

Фоточувствительность однородного ПП определяется отношением Да / Р, где Р - мощность излучения, поглощенная в единице объема. Стационарная величина До устанавливается после промежутка времени, определяемого процессами рекомбинации в ПП. Время и характер нарастания ( после включения освещения) До до стационарной величины, а также время и характер уменьшения ее ( по прекращении освещения) определяются процессами рекомбинации. Фотопроводимость лежит в основе всех фотоэлек-трич. ПП приборов ( фотодиодов, фотоэлементов полупроводниковых, солнечных батарей); она непосредственно используется в фотосопротивлениях. [25]

Фоточувствительность газонаполненных фотоэлементов составляет около 1 000 мкА / лм. [26]

Фоточувствительность полимерных полупроводников увеличивается при введении в них сенсибилизаторов, красителей. [27]

Фоточувствительность вентильных фотоэлементов составляет 2000 - 30000 мка / лм. [28]

Возникновение Фундируют в неосвещен-эффекта ДемОера. 04 - ную. Если ПОДВИЖНОСТИ Освещенная часть. 34 - электронов и дырок раз-ватенпешшя часть. дтш. TQ в стационарном случае в объеме кристалла устанавливается электрич. поле S, и между освещенной и неосвещенной частями возбуждается разность потенциалов, именуемая фото-адс Дембера. В прямоугольном образце ПП, освещенном при х 0 ( 1, плотность пол.| Фотогальваномагнитный эффект. аЪ - ширина освещенной части ПП. х и у - координаты. [29]

Фоточувствительность однородного ПП определяется отношением До / / -, где Р - мощность излучения, поглощенная в единице объема. Стационарная величина До устанавливается после промежутка времени, определяемого процессами рекомбинации в ПП. Время и характер нарастания ( после включения освещения) Да до стационарной величины, а также время и характер уменьшения ее ( по прекращении освещения) определяются процессами рекомбинации. Фотопроводимость лежит в основе всех фотоэлек-трич. ПП приборов ( фотодиодов, фотоэлементов полупроводниковых, солнечных батарей); она непосредственно используется в фотосопротивлениях. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5