Cтраница 5
Длительность времени фоточувствительности для структур на основе кремния и арсецида галлия определяется экспериментально. [61]
Кривая распределения фоточувствительности ( для / 0) показана на рисунке. [62]
![]() |
Спектральные характеристики германиевого ( и кремниевого ( 2 фотодиодов. [63] |
Длинноволновая граница фоточувствительности определяется значением Eg, а спад в коротковолновой области спектра объясняется тем, что коэффициент поглощения растет и большая часть излучения поглощается в приповерхностном слое базы, где тЭф мало и меньшая часть генерированных светом носителей доходит до р - n - перехода. Следовательно, положение коротковолновой границы фоточувствительности зависит от ширины базы и скорости поверхностной рекомбинации. [64]