Инжекция - неосновной носитель - заряд
Cтраница 1
Инжекция неосновных носителей заряда происходит всегда из широкозонного в узкозонный полупроводник. В гетеропереходах, образованных полупроводниками с одним типом электропроводности, выпрямление происходит без инжекции неосновных носителей заряда. [1]
 |
Распределение концентрации неосновных и основных носителей заряда в базе диода при включении его в прямом направлении. [2] |
При инжекции неосновных носителей заряда в базе диода возникает избыточная концентрация этих носителей и нарушается электрическая нейтральность базы. Для компенсации инжектированных неосновных носителей заряда через омический переход в базу входят основные носители и также распределяются в базе неравномерно. [3]
 |
Зависимости пробив - Рп - Рпо - & Рп С яо. [4] |
При инжекции неосновных носителей заряда в базе диода возникает избыточная концентрация этих носителей и нарушается электрическая нейтральность базы. Для компенсации инжектированных неосновных носителей заряда через невыпрямляющий контакт в базу входят основные носители и также распределяются в базе неравномерно. [5]
При инжекции неосновных носителей заряда в базе диода возникает избыточная концентрация этих носителей и нарушается электрическая нейтральность базы. Для компенсации инжектированных неосновных носителей заряда через омический переход в базу входят основные носители и также распределяются в базе неравномерно. [6]
Обусловленная инжекцией неосновных носителей заряда емкость перехода называется диффузионной. [7]
 |
Переход типа п-л.| Омический переход. [8] |
В этих переходах практически отсутствует инжекция неосновных носителей заряда в высокоомную область. Например, при прямом направлении смещения перехода п-п: плюс - к n - слою, минус - к я - слою, потенциальный барьер для электронов слоя п уменьшится и ток через переход будет обусловлен основными носителями заряда. При обратном включении в высокоомный полупроводник будут инжектироваться дырки, однако их концентрация в слое л мала и этой инжекцией можно пренебречь. [9]
В основе работы ТЛИП лежит принцип прямой инжекции неосновных носителей заряда в ключевой транзистор. [11]
При протекании прямого тока через переход происходит инжекция неосновных носителей заряда. [12]
Таким образом, через р-п переход происходит инжекция неосновных носителей заряда в область, примыкающую к р-п переходу. Область, в которую происходит инжекция неосновных носителей, называется базой полупроводникового прибора. [13]
 |
Формальная эквивалентная схема полевого транзистора, соответствующая системе ( / - параметров. [14] |
Принцип действия полевого транзистора не связан с инжекцией неосновных носителей заряда в базу и их относительно медленным движением до коллекторного перехода. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5