Инжекция - неосновной носитель - заряд
Cтраница 3
Если же входное напряжение, поданное на эмиттер относительно базы Бь превысит Um, то р-я-переход открывается и начинается инжекция неосновных носителей заряда ( дырок) в базу. [31]
Однако на практике на рс могут оказывать существенное влияние слои на границе раздела ( например, естественные оксиды), повреждения поверхности, инжекция неосновных носителей заряда и глубокие примесные уровни. [32]
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( б однопереходного.| Входная ( а и выходные ( б статические характеристики однопереходного транзистора. [33] |
Если же входное напряжение, поданное на эмиттер относительно базы Бь превысит ( /, то p - n - переход открывается и начинается инжекция неосновных носителей заряда ( дырок) в базу. [34]
В типичных солнечных элементах с гетеропереходом рекомбинационно-генерационный процесс, по-видимому, преобладает в обедненном слое узкозонного полупроводника из-за наличия высокого потенциального барьера, препятствующего инжекции неосновных носителей заряда в широкозонный материал. [36]
 |
Временные зависимости тока базы ( а и тока коллектора ( б при работе транзистора в качестве ключа по схеме с общим эмиттером. [37] |
Более удачным методом повышения быстродействия транзистора, работающего в качестве электронного ключа, является шунтирование коллекторного перехода диодом Шотки, в котором при прямом смещении отсутствуют инжекция неосновных носителей заряда и их накопление. Структура и принцип действия такого транзистора с диодом Шотки будут рассмотрены в § 7.4, так как наибольшее распространение такие транзисторы получили в интегральных микросхемах. [38]
 |
Временные зависимости тока базы ( а и тока коллектора ( б при работе транзистора в качестве ключа по схеме с общим эмиттером. [39] |
Более удачным методом повышения быстродействия транзистора, работающего в качестве электронного ключа, является шунтирование коллекторного перехода диодом Шотки, в котором при прямом смещении отсутствуют инжекция неосновных носителей заряда и их накопление. Структура и принцип действия такого транзистора с диодом Шотки будут рассмотрены в § 7.4, так как наибольшее распространение такие транзисторы получили в интегральных микросхемах. [40]
 |
Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [41] |
Структура интегральных транзисторов, в которых использован контакт с переходом Шоттки в качестве коллектора и диода, шунтирующего переход коллектор-база, показана на рис. 13.10. Биполярный транзистор с коллекторным контактом с переходом Шоттки отличается от транзисторов типа р-п - р и п-р - п тем, что при переходе к режиму насыщения в нем отсутствует инжекция неосновных носителей заряда из коллектора в базу, а также нет накопления заряда в области коллектора. [42]
И те и другие являются неравновесными, так как создают дополнительную концентрацию, отличающуюся от концентрации в термодинамическом равновесии. Следовательно, при инжекции неосновных носителей заряда в однородный полупроводник его электронейтральность практически сохраняется ( за исключением тонких граничных областей) и объемные заряды не возникают. Это условие принято называть условием квазинейтральности. [43]
Структура однопереходного транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 4.55. Область эмиттера ( область с электропроводностью / 7-типа) должна быть легирована сильнее, чем область базы ( область с электропроводностью n - типа), для того чтобы при прямом включении эмиттерного перехода прямой ток через него имел в основном лишь дырочную составляющую. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей заряда в базу транзистора и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу через один из невыпрямляющих контактов к базе для компенсации инжектированного заряда неосновных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы ( модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами к базе или тока в цепи нагрузки. [44]
Структура однопереходного транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 4.59. Область эмиттера ( область с электропроводностью р-типа) должна быть легирована сильнее, чем область базы ( область с электропроводностью n - типа), для того, чтобы при прямом включении эмиттерного перехода прямой ток через него имел в основном лишь дырочную составляющую. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей заряда в базу транзистора и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу через один из невыпрямляющих контактов к базе для компенсации инжектированного заряда неосновных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы ( модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами к базе или тока в цепи нагрузки. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5