Инжекция - неосновной носитель - заряд
Cтраница 4
Структура однопереходного транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 4.55. Область эмиттера ( область с электропроводностью р-типа) должна быть легирована сильнее, чем область базы ( область с электропроводностью л-типа), для того чтобы при прямом включении эмиттерного перехода прямой ток через него имел в основном лишь дырочную составляющую. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей заряда в базу транзистора и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу через один из невыпрямляющих контактов к базе для компенсации инжектированного заряда неосновных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы ( модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами к базе или тока в цепи нагрузки. [46]
Преодолевшие потенциальный барьер носители заряда оказываются в соседней области неосновными. Таким образом, через р-и-переход происходит инжекция неосновных носителей заряда в область, примыкающую к р-л-переходу. Ту область, в которую происходит инжекция неосновных носителей, называют базой полупроводникового прибора. [47]
Преодолевшие потенциальный барьер носители заряда оказываются в соседней области неосновными. Таким образом, через / з-п-переход происходит инжекция неосновных носителей заряда в область, примыкающую к р - / г-переходу. Ту область, в которую происходит инжекция неосновных носителей, называют базой полупроводникового прибора. [48]
Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки в отличие от р-п перехода является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок. Поэтому через переход Шотки может не происходить инжекция неосновных носителей заряда в полупроводнике. [49]
 |
Накопление неосновных носителей заряда ( дырок вблизи омического перехода между металлом и полупроводником при наличии внешнего электрического поля. [50] |
Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки в отличие от p - n - перехода является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок. В результате через переход Шотки может не происходить инжекции неосновных носителей заряда в полупроводник. Рассмотрим рис. 2.16. При включении такого перехода в прямом направлении ( рис. 2.16, б) высота потенциального барьера для дырок ( ПБД) в приконтактной области полупроводника понижается, дырки будут переходить из полупроводника в металл. [51]
 |
Накопление неос. [52] |
Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки в отличие от р - - перехода является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок. В результате через переход Шотки может не происходить инжекции неосновных носителей заряда в полупроводник. Рассмотрим рис. 2.16. При включении такого перехода в прямом направлении ( рис. 2.16, б) высота потенциального барьера для дырок ( ПБД) в приконтактной области полупроводника понижается, дырки будут переходить из полупроводника в металл. [53]
 |
Схемы включения транзисторов. [54] |
Светодиодом называется полупроводниковый двухэлектродный элемент, предназначенный для световой индикации информации. При протекании через светодиод прямого тока в нем происходит инжекция неосновных носителей заряда ( электронов или дырок) в базовую область диодной структуры. Инжектируемые неосновные носители заряда рекомбинируют и при этом выделяют кванты видимого глазом света. В конструкции светодиода предусмотрено отверстие, через которое световой луч поступает наружу. Свечение прекращается вместе с прекращением тока, протекающего через светодиод. Для изготовления светодиодов используются специальные материалы - фосфиды гелия, карбид кремния, твердые растворы сложного состава. [55]
Преодолевшие потенциальный барьер носители заряда оказываются в соседней области неосновными. Таким образом, через р - - переход происходит инжекция неосновных носителей заряда в область, примыкающую к р - re - переходу. Ту область, в которую происходит инжекция неосновных носителей называют базой полупроводникового прибора. [56]
Преодолевшие потенциальный барьер носители заряда оказываются в соседней области неосновными. Таким образом, через p - n - переход происходит инжекция неосновных носителей заряда в область, примыкающую к р-п-переходу. Ту область, в которую происходит инжекция неосновных носителей, называют базой полупроводникового прибора. [57]
На основе легированного теллуром фосфида галлия п-типа проводимости получены р - п переходы при диффузии цинка из газовой фазы. При прямом смещении в таких переходах наблюдалась электролюминесценция, обусловленная инжекцией неосновных носителей заряда в область р - п перехода и последующей рекомбинацией их через примесные центры. [58]
Инжекция неосновных носителей заряда происходит всегда из широкозонного в узкозонный полупроводник. В гетеропереходах, образованных полупроводниками с одним типом электропроводности, выпрямление происходит без инжекции неосновных носителей заряда. [59]
 |
Свечение на поверхности диода из арсенида галлия вследствие поверхностной рекомбинации. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5