Инжекция - неосновной носитель - заряд
Cтраница 5
Внешнее электрическое поле, направленное вдоль оси образца ( ось х), обеспечивает инжекцию неосновных носителей заряда. [61]
 |
Схема электронного умножителя. [62] |
Изменение концентрации электронов в рабочей среде достигается неск. В первых двух случаях имеют место разные виды эмиссии ( термоэлектронная эмиссия, фотоэлектронная эмиссия, вторичная эмиссия и др.), а также инжекция неосновных носителей заряда и экстракция носителей заряда. [63]
 |
Схема базового логического элемента ТТЛ.| Передаточная характеристика элемента ТТЛ. [64] |
Шотки ( рис. 1.28, в), В таких элементах в качестве переключательного применяют транзистор с коллекторным переходом в виде барьера Шотки. Транзистор с металлическим коллектором ( р-п - т) обладает меньшим временем задержки переключения, так как в нем отсутствует накопление неосновных носителей заряда в коллекторе и уменьшена инжекция неосновных носителей заряда в базу. [65]
Страницы: 1 2 3 4 5