Инжекция - неосновной носитель - заряд
Cтраница 2
Условиями получения необходимых частотных свойств СВЧ-диодов являются отсутствие инжекции неосновных носителей заряда через выпрямляющий электрический переход в базу, малое время жизни неосновных носителей в базе и малое значение постоянной времени перезаряда барьерной емкости, т.е. малые барьерная емкость выпрямляющего перехода и сопротивление базы, которое должно быть малым и для уменьшения потерь мощности в диоде. [16]
Таким образом, при прямом смещении р-п перехода осуществляется инжекция неосновных носителей заряда и их концентрация экспоненциально возрастает с увеличением прямого напряжения. Выражения (1.97) и (1.98) называются граничными условиями для неосновных носителей заряда или условиями Шокли. [17]
Если к р-я-переходу приложено напряжение в прямом направлении, то происходит инжекция неосновных носителей заряда в р - и я-области. [18]
Почему и при каких условиях на гетеропереходах может происходить выпрямление без инжекции неосновных носителей заряда. [19]
 |
Распределения неосновных носителей заряда для различных диодных схем включения интегрального транзистора. [20] |
В варианте / / цепь коллектора разомкнута и, следовательно, инжекция неосновных носителей заряда в область базы смещает коллекторный переход в прямом направлении. Это вызывает появление дополнительного заряда в базовой и коллекторной областях. [21]
Почему и при каких условиях на гетеропереходах может происходить выпрямление без инжекции неосновных носителей заряда. [22]
Этот процесс, как было отмечено в § 2.2, называют инжекцией неосновных носителей заряда через р-п-переход. [23]
Этот процесс, как было отмечено в § 2.2, называют инжекцией неосновных носителей заряда через р-м-переход. [24]
Внешнее электрическое поле, направленное вдоль оси образца ( ось х), обеспечивает инжекцию неосновных носителей заряда. Чтобы упростить уравнение (67.1), будем считать, что электрическое поле отсутствует: Е 0, а избыточная концентрация создается некоторым источником, дающим независящую от координаты скорость генерации носителей заряда G. В этом случае электрическое поле всюду будет равно нулю. [25]
Основными условиями существования индуктивности в диоде являются наличие электрического поля в - области, а также инжекция неосновных носителей заряда в эту область, достаточная для заметного увеличения ее проводимости. [26]
 |
Устройство светодиода. [27] |
Как было, показано выше ( параграф 3.3), прч подаче р-п переход прямого напряжения наблюдается интенсивная инжекция неосновных носителей заряда: электронов в - область и дырок в n - область. Инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями данной области полупроводника и их концентрация быстро падает по мере удаления от р-п перехода в глубь полупроводника. При встрече электрона и дырки их заряды компенсируются и данные носители заряда исчезают. Поэтому при рекомби - нации выделяется энергия. Однако у полупроводников, выполненных на основе карбида кремния ( SiC), галлия ( Ga), мышьяка ( As) и некоторых других материалов, рекомбинация является излу-чательной - энергия рекомбинации выделяется в виде квантов излучения - фотонов. [28]
В основу структуры базового элемента инжекционно-полевой логики положен принцип функциональной интеграции технологически совместимых полупроводниковых приборов, использующих явление инжекции неосновных носителей заряда и полевой эффект. В этом смысле элементы инжекционно-полевой логики представляют собой качественно новые функциональные устройства. Структура инвертора ИПЛ приведена на рис. 3.28. Элемент содержит ПЭв виде ПТУП, затвор которого служит входом, а сток - выходом инвертора. В структуре, показанной на рис. 3.28, генератор тока выполнен в виде БТ дополняющего переключательному типа электропроводности. [29]
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( б однопереходного.| Входная ( о и выходные ( б статические характеристики однопереходного транзистора. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5