Инжекция - электрон
Cтраница 1
Инжекция электронов из этих частей эмиттерного перехода поддерживает соответствующую часть тиристорной структуры в открытом состоянии. Стремление же еще больше увеличить ток управления путем увеличения соответствующего напряжения на управляющем электроде относительно эмиттера может привести к пробою эмиттерного перехода, так как он имеет обычно малое пробивное напряжение из-за большой концентрации примесей с обеих сторон этого перехода. [1]
Инжекция электронов из - области в р-область преобладает над инжекцией дырок в обратном направлении. Поэтому электроны накапливаются главным образом в р-области. Возникает импульс обратного тока. Чем больше прямой ток, тем сильнее поток инжектированных носителей ( электронов в данном примере) и тем больше образованный ими заряд, а следовательно, больше импульс обратного тока. Когда это скопление носителей рассосется и практически окончится зарядка барьерной емкости, то остается лишь ничтожно малый обратный ток, который можно не принимать во внимание. [2]
Инжекция электронов из этих частей эмиттерного перехода поддерживает соответствующую часть тиристорной структуры в открытом состоянии. Стремление же еще больше увеличить ток управляющего электрода путем увеличения напряжения на этом электроде может привести к лавинному пробою эмиттерного перехода ( в нижней его части по рис. 5.11), так как этот переход имеет обычно малое пробивное напряжение из-за большой концентрации примесей с обеих сторон перехода. [3]
Инжекция электронов в органические кристаллы сильно облегчается, если кристалл обладает высоким сродством к электрону. [5]
 |
Спектры возбуждения дырочных ( а и электронных ( б фототоков в кристаллах антрацена. Оба электрода - щелочной раствор K2SnO2. [6] |
Инжекция электронов обычно затруднена и требует использования сильных окислителей, имеющих большое сродство к электрону. Иначе говоря, диссоциация экситонов обычно приводит к инжекции дырок. В основном это обусловлено захватом электронов в ловушки на поверхности кристалла, а также высокой скоростью рекомбинации электронов на электроде, что может быть доказано с помощью изучения температурных зависимостей электронных и дырочных токов. Меньшие по сравнению с дырочными значения электронных токов насыщения должны быть вызваны большей, чем у дырок, скоростью рекомбинации электронов с поверхностью. Как видно из рис. 3.1.9, при возбуждении кристаллов антрацена светом с длиной волны 3900 А при положительной полярности освещенного электрода фототок / ( 3900 А) довольно слабо зависит от температуры в отличие от тока / - ( 3900 А), наблюдаемого при отрицательной полярности освещенного электрода. [7]
При инжекции электронов и дырок в диэлектрик закономерности оказываются сложнее, чем при эмиссии в вакуум. Во-первых, в кристаллах носители заряда взаимодействуют с колебаниями кристаллической решетки, вследствие чего происходит их рассеяние, а также возможен переход в низкоподвижное по-лхронное состояние. Во-вторых, дефекты кристаллической структуры, как уже упоминалось, могут захватывать часть носителей заряда и приводить к их локализации в кристалле. И наконец, в отличие от вакуумного диода в кристалле возможны двойная инжекция и взаимокомпенсация отрицательного и положительного объемных зарядов, а также рекомбинация электронов и дырок. [8]
Аналогично инжекция электронов из д-области в р-область приводит к появлению в этой области избыточного отрицательного заряда Qnpme. Создание такого заряда ( как и самого тока / рДИф) возможно только при наличии потока дырок в р-области от омического контакта к р-п переходу. Однако во внешней цепи в проводнике может протекать только электронный ток, который создают электроны, уходящие из р-области во внешнюю цепь. Таким образом, при инжекции сохраняется электрическая нейтральность полупроводниковых областей. [9]
При инжекции электронов из кремния с увеличением концентрации фосфора и ростом толщины слоя ФСС увеличивается диапазон возможных изменений порогового напряжения МДП-транзисторов, который может достигать значений до 6 В. Уменьшение амплитуды токового воздействия сопровождается трудностями технической реализации в связи со значительным возрастанием времени инжекции требуемой величины заряда. [10]
Поэтому превалирует инжекция электронов из эмиттера в базу. [11]
В случае инжекции электронов из катода у может возрастать с увеличением е, но весьма незначительно. [12]
Различие уровня инжекции электронов и дырок соответственно ври и-области перехода позволяет получить благоприятные условия работы транзистора при обеспечении высокой эффективности инжекции неосновных носителей в базу прибора. [13]
В случае инжекции электронов из катода у может возрастать с увеличением е, но весьма незначительно. [14]
Таким образом, инжекция электронов и дырок с металлических электродов в диэлектрик приводит к сложным нелинейным зависимостям электронного тока от электрического поля. Исследования токов, ограниченных пространственным зарядом, позволяют получить важные данные о природе дефектов кристаллической структуры диэлектриков и полупроводников. В тонких пленках нелинейная проводимость, обусловленная инжекцией, возникает при низких напряжениях, что применяется в технических приборах современной электроники. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5