Инжекция - электрон
Cтраница 2
 |
Структура и топология однотранзисторного ЗЭППЗУ. [16] |
Для программирования применяется инжекция электронов в плавающий затвор. Программирование ячейки осуществляется одновременным подключением достаточных напряжений к стоку С и управляющему затвору 3 при заземленном истоке И. В канале нарождаются горячие электроны, которые инжектируются в плавающий затвор и изменяют пороговое напряжение. [17]
Наилучшим электродом для инжекции электронов безусловно является натрий, а для инжекции дырок - платина. Еще лучшим инжектором для электронов является сплав NaK, жидкий при комнатной температуре. Из-за своей жидкой консистенции он более удобен в обращении, чем чистый натрий ( или цезий), и может обеспечить более качественный контакт с поверхностью кристалла. Как показал Мель [262], как натрий, так и золото могут служить эффективными темновыми инжекторами, и эти электроды обеспечивают режим ТОПЗ. Детально этот вопрос будет рассмотрен в гл. Как уже упоминалось, поведение электродов осложняется поверхностными реакциями. Так, например, натрий реагирует с антраценом с образованием антраценида натрия, который окрашен в темно-синий цвет и, во-видимому, является источником электронов, принимающих участие в проводимости. На кристалл антрацена обычно напыляется золотой электрод, и, как уже упоминалось, высота барьера для инжекции может иметь в этом случае различные значения. Следует также учитывать довольно высокие скорости атомов, ударяющихся о поверхность кристалла при напылении, что может привести к разрушению кристаллической структуры пограничной поверхности между кристаллом и металлом. Сказанное в еще большей мере относится к случаю, когда электрод наносится путем катодного распыления, поскольку здесь атомы металла ударяются о поверхность кристалла с энергиями порядка килоэлектронвольта. [19]
Скорее можно пренебречь инжекцией электронов из коллектора в базу, что и делается при анализе работы транзистора в режиме насыщения, когда, например, концентрация примесей в коллекторе примерно на порядок меньше, чем в базе. [20]
Их действие основано на инжекции электронов и дырок в активную область полупроводника с последующей их рекомбинацией и образованием фотонов. Однако в магнитных полупроводниках подобное устройство наряду с фотонами может генерировать и магноны. Это вызвано тем, что в результате снятия спинового вырождения, обусловленного s - d - взаимодейст-вием, межзонные переходы вблизи края поглощения должны происходить с изменением спинового состояния носителей и, значит, разрешены только в магнито-дипольном приближении первого порядка теории возмущений, что существенно снижает их вероятность по сравнению с обычными полупроводниками, где подобные переходы возможны уже в злектродипольном приближении. [21]
Можно полагать, что инжекция электронов требует заметной энергии активации, если при комнатной температуре не наблюдается никакого анодного тока. Другое отличие между темновым и фотокатализом связано с ролью плотности донорных состояний катализатора. Следует ожидать, что плотность доноров не будет оказывать влияния на фотокаталитические процессы, если фотогенерация основных носителей мала в сравнении с концентрацией носителей в темноте. Скорость фотокаталитической реакции определяется главным образом скоростью генерации дырок под действием поглощенного света. Хотя плотность доноров влияет на величину поверхностного барьера в фотокаталитических условиях, тем не менее на величине скорости это не сказывается, так как поверхностный барьер свободно устанавливается таким образом, что концентрация электронов на поверхности остается постоянной величиной. [22]
 |
Зависимость внутренней электрической прочности Г лиэтилена от температуры t. [23] |
Это явление связано с инжекцией электронов из иглы в диэлектрик при отрицательной полярности иглы. Они оседают на дискретных уровнях - ловушках, всегда присутствующих в реальных диэлектриках. Осевшие в ловушках электроны создают избыточный объемный отрицательный заряд, действие которого аналогично увеличению радиуса иглы. Таким образом, фактическая напряженность поля у иглы перед пробоем в действительности не превышает внутренней электрической прочности диэлектрика. В случае положительной полярности иглы также образуется объемный заряд за счет электронов, сорванных с дискретных уровней и переместившихся к игле. [24]
 |
Вольт-амперная характеристика структуры металл - диэлектрик - металл с несимметричными контактами. [25] |
По мере возрастания U увеличивается инжекция электронов и нарушается равновесие в структуре. При этом в диэлектрике возникает пространственный заряд и появляется область токов, ограниченных этим зарядом. Токопро-хождение на этом участке обусловлено заполнением глубоких ловушек. [26]
Процесс электрического пробоя начинается с инжекции электронов в жидкий диэлектрик с катода и образования электронных лавин. В ходе распространения лавин возникают стримероподобные образования, которые в результате процессов фотоионизации перемещаются от анода к катоду со скоростью Ю5 м / с. Пробой завершается, когда плазменный канал замыкает электроды. [27]
ЭБ, что приводит к инжекции электронов из эмиттера в базу. Основное назначение эмиттера ( что и отражено в его названии) - обеспечить максимально возможную при данном прямом токе одностороннюю ( см. § 2.3) инжекцию электронов в базу. Для этого концентрация доноров в эмиттере Л э на границе с переходом должна быть значительно больше концентрации акцепторов в базе: Ng3 NaE. [28]
Настоящая работа посвящена экспериментальному изучению инжекции электронов в - область карбидокремниевого диода. [29]
 |
Зависимость эффективной электропроводности от напряженности поля. ( т 300 с. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5