Инжекция - электрон
Cтраница 4
Приведенные в данном параграфе выражения справедливы при низком уровне инжекции электронов в базе, когда пр - C / Jpo. [46]
При подаче прямого напряжения в некоторых р-п переходах из-за интенсивной инжекции электронов в р-область, где они рекомбинируют с дырками, наблюдается инжекционная электролюминесценция. Это явление используют в светоизлучающих диодах, преобразующих энергию электрического тока в энергию видимого или инфракрасного излучения. Процесс рекомбинации состоит в переходе электронов из зоны проводимости в валентную зону и сопровождается выделением избыточной энергии. Часть этой энергии расходуется на нагревание кристалла, а остальная излучается в виде квантов света. [47]
 |
К выводу уравнения непрерывности. [48] |
Такой градиент может, быть создан, например, инжекцией электронов с одного конца полупроводника. [49]
 |
Вольт-амперная харак - тие зон бУДет отсутствовать теристика обращенного диода. и соответственно не будет. [50] |
Ток в прямом направлении у такого диода будет обусловлен инжекцией электронов и дырок, так же как у обычного выпрямительного диода. [51]
Если электрод не изолирован от кристалла слоем диэлектрика, то инжекция электронов в кристалл возрастает с экспозицией. Ин-жекция электронов частично компенсирует уход фотоэлектронов из области вблизи отрицательного электрода, что замедляет рост плотности положительного заряда. Поскольку одновременно с этим продолжает убывать толщина положительно заряженного слоя, то амплитуда модуляции считывающего света начинает уменьшаться по мере дальнейшего роста экспозиции. [52]
Помимо паразитной связи, обусловленной эффектом поля, может наблюдаться инжекция электронов из области - типа в подложку. Эти электроны могут захватываться центрами захвата и усиливать эффект паразитной связи. Влияние инжекции ослабляют, создавая между элементами микросхемы специальные изолирующие области, получаемые, например, протонной бомбардировкой полуизолирующей подложки. [53]
Коэффициент инжекции уэ показывает, какую часть составляет полезный ток инжекции электронов из эмиттера в базу в полном токе эмиттера. Коэффициент переноса ХБ показывает, какая часть электронов, инжектируемых из эмиттера в базу, достигает коллекторного перехода; значение ХБ тем ближе к единице, чем меньше электронов ре-комбинирует в базе при их движении к коллектору. [54]
Подытоживая результаты предыдущего раздела, можно сказать, что процесс инжекции электрона или дырки в органический кристалл связан с удалением электрона соответственно из электрода или из кристалла, что в любом случае требует затраты энергии. Если имеется дефицит при переносе электрона в любом направлении, то это соответствует энергетическому барьеру для данного процесса. Лишь в узком диапазоне, в котором р0 - L, не будет энергии активации переноса электрона; недостающая энергия может быть восполнена за счет внешнего источника и подведена в виде кванта излучения, приложенного электрического поля или повышенной температуры. Эта энергия может вызвать возбуждение электрода или кристалла или того и другого вместе. [55]
Таким образом, электроннооптическая система типа короткой оптики должна обеспечить инжекцию электронов в пространство взаимодействия с нужной начальной скоростью и по возможности ближе к плоскости отрицательного электрода. При дальнейшем движении электроны, как уже было сказано, взаимодействуют с переменным электрическим полем, группируются в сгустки и, постепенно поднимаясь к замедляющей системе по почти прямолинейным траекториям, передают полю значительную часть потенциальной энергии. [56]
 |
Изменение концентрации электронов в базе транзистора при включении ( а и выключении напряжения ( б. [57] |
Одновременно с этим продолжает увеличиваться концентрация электронов в сечении хр вследствие инжекции электронов в базу со стороны эмиттера. Полное время включения транзистора / вкл 4ад нар лежит в пределах от сотых долей микросекунд до нескольких микросекунд. [58]
В случае сплавного транзистора, когда толщина базы W LQ, инжекция электронов в области р невелика; падение напряжения в области нарушенного равновесия от протекания рекомбинационного тока в направлении, перпендикулярном плоскости перехода, можно не учитывать. Это не означает, что мы пренебрегаем током рекомбинации и инжекции электронов. Мы пренебрегаем лишь падением напряжения от протекания этих токов в направлении, перпендикулярном плоскости перехода. [59]
 |
Потенциальная диаграмма транзистора. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5