Инжекция - электрон
Cтраница 3
Адамец [27] для выяснения вклада инжекции электронов с катода в электропроводность полиметилметакрилата измерял YT образцов с бесконтактными электродами типа металл - воздух - ПММА - воздух - металл. [31]
Настоящая работа посвящена экспериментальному изучению инжекции электронов в р-область карбидокремниевого диода. [32]
Активная среда в инжекционных лазерах получается при инжекции электронов и дырок через р - - переход или через гетеропереход. В узком смысле слова р - - переходом называется условная граница раздела двух областей кристалла, одна из которых имеет дырочный тип проводимости, а вторая - электронный. [33]
 |
Распределение токов, обусловленных инжек-цией дырок.| Обратное включение р-п перехода. [34] |
Одновременно с инжекцией дырок в л-область происходит инжекция электронов в / - область. Протекающие при этом процессы аналогичны. [35]
Положительное смещение эмиттерного перехода / 3 приводит к инжекции электронов этим переходом в область р-бащ и увеличению обратного тока закрытого тиристора. Вследствие этого в приборе выделяется дополнительная мощность потерь, ухудшающая тепловой баланс. Поэтому цепь управления необходимо спроектировать таким образом, чтобы исключить появление положительного импульса управления при воздействии обратного напряжения в силовой цепи. В противном случае нужно уменьшить прямой ток или улучшить условия охлаждения. [36]
Инверсия населенностей в таком лазере достигается высоким уровнем инжекции электронов и дырок в узкозонную часть. [37]
Инверсия населенностей в полупроводнике создается рядом способов: инжекцией электронов и дырок в полупроводник из р-п-перехода, бомбардировкой электронным пучком, оптической накачкой, ударной ионизацией. [38]
Одновременно с инжекцией дырок в n - область происходит инжекция электронов в р-область. Протекающие при этом процессы аналогичны, но при N Na инжекция электронов пренебрежимо мала. [39]
Все сказанное в отношении ин-жекции дырок относится и к инжекции электронов. [40]
Таким образом, при отрицательной полярности А1 - электрода инжекция электронов позволяет увеличивать пороговое напряжение МДП-транзистора на величину до 1 В, а с возрастанием концентрации фосфора в пленке ФСС уменьшается требуемая величина инжектированного заряда для одного и того же изменения зарядового состояния МДП-структуры. [41]
Эффективность подобных конструкций определяется степенью поляризации электронов и возможностями инжекции электронов в полупроводник. [43]
 |
Энергетические диаграммы для различных типов контактов. [44] |
При измерении проводимости диэлектрика необходимо иметь электроды для обеспечения инжекции электронов внутрь диэлектрика и ия выхода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5