Вращение - кристалл
Cтраница 2
Если ось вращения кристалла параллельна вектору элементарной ячейки, но не параллельна одноименному вектору обратной решетки, то на кфорограммах я-й слоевой линии точка, соответствующая узлу обратной решетки [ [ 00л ] ], будет смещена из центра кфорограммы, однако совмещение рентгенограмм для воссоздания картины обратной решетки также возможно. При этом совмещают два любых рефлекса из обеих пленок и вращением добиваются совпадения эквивалентных трансляций. Затем путем параллельного сдвига совмещают центры обеих кфорограмм. [16]
 |
Схема рентгеносъемки по методу вращения ( а и рентгенограмма вращения монокристалла кварца вокруг оси с ( б. [17] |
В методе вращения кристалла используется монохроматическое излучение с фиксированной длиной волны К и кристалл, вращающийся вокруг одной из своих осей. Регистрация дифракционной картины в этом случае производится, как правило, на цилиндрическую фотопленку, ось которой совпадает с осью вращения кристалла. [18]
 |
Белый ( непрерывный и характеристический ( Ка и / Ср - линии спектры рентгеновского излучения. [19] |
Если к вращению кристалла добавить синхронное перемещение рентгеновской пленки, на которой фиксируется результат дифракции, то по расположению рефлексов на пленке можно будет судить не только о направлении каждого луча pqr, но и об ориентации кристалла в момент каждой вспышки дифракции. [20]
 |
Схема выращивания монокристалла способом Чохральского. [21] |
Для чего производится вращение кристалла и / или тигля. [22]
 |
Зависимость скорости роста граней кристаллов Л от скорости их вращения п. [23] |
При малых скоростях вращения кристалла преобладает диффузионное влияние, и скорость роста увеличивается с повышением числа оборотов. Однако при увеличении скорости сверх некоторого числа оборотов удаление блоков с поверхности грани начинает превышать положительный эффект ускорения диффузионного подвода вещества, и скорость роста кристалла снижается. [24]
 |
Схема движения расплава. [25] |
При небольшой скорости вращения кристалла ( вк 1 05 сек-1) область, занятая потоками свободной конвекции, смещается к стенкам тигля. [26]
 |
Схема изменения конвекционных потоков расплава и фронта кристаллизации в зависимости от диаметров кристалла и тигля и критической глубины расплава. [27] |
Существует минимум частоты вращения кристалла, при котором возникает вынужденная конвекция. Повышение температуры в центральной части фронта кристаллизации ведет к подплавлению конуса кристалла с изменением фронта кристаллизации от выпуклой к плоской или вогнутой в соответствии с изменением положения изотерм. [28]
С увеличением скорости вращения кристалла ( рис. 120, а, б) характер потоков меняется, увеличивается перемешивание в средней и осевой частях расплава. С увеличением скорости вращения тигля ( см. рис. 120, в) при практически неподвижном кристалле потоки наблюдаются преимущественно в осевой области. Ускоренное вращение тигля с одновременным вращением кристалла способствует переносу атомов кислорода от стенок тигля к выращиваемому кристаллу. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5