Вращение - кристалл
Cтраница 4
Ось в ращения пленки параллельна оси вращения кристалла и лежит в той же плоскости, но смещена относительно последней, что обеспечивает правильную регистрацию рефлексов. Изображение обратной решетки различных плоскостей получается с сохранением масштаба, что обеспечено постоянством угла раствора конуса. [46]
Из рисунка видно, что при вращении кристалла в плоскости аЪ ось пары лежит в плоскости вращения, так как расщепление меняется точно вдвое. Отсюда можно найти положение радикалов в кристаллической ячейке ( если известна кристаллографическая структура), а также величину D 125 э и гср 6 А. [47]
Как будет влиять на спектр ЭПР такое вращение кристалла, чтобы магнитное поле лежало в плоскости, содержащей ось симметрии дефекта. [48]
Следовательно, пишут авторы [14], если вращение кристалла обусловливает поток жидкости к кристаллу, то при вращении тигля под кристаллом образуется поток в противоположном направлении. Поэтому при одновременном вращении кристалла и тигля в противоположных направлениях в области, расположенной непосредственно под кристаллом, из-за столкновения этих встречных потоков создается область интенсивного перемешивания жидкости. Эта область не распространяется до стенок тигля, а локализуется под кристаллом. [49]
Увеличение скорости вращения ядра расплава в направлении вращения кристалла или в противоположном, приводит к уменьшению величины а0 Р ( 0) ( см. главу II) и, как следует из анализа выражения (111.79), вызывает увеличение концентрации примесей на поверхности раздела фаз. [50]
Наиболее широко используется для определения структуры метод вращения кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеновское излучение, а в качестве исследуемого образца - монокристалл. При вращении кристалла вокруг какой-либо оси рентгеновские лучи, направленные перпендикулярно к этой оси, в определенный момент оказываются по отношению к некоторым плоскостям кристалла в положении, при котором выполняется формула Вульфа - Брэгга, В этом случае возникает дифрагированный рентгеновский луч, который приводит к появлению пятна ( рефлекса) на цилиндрической фотопленке, ось которой совпадает с осью вращения кристалла. На фотопленке рефлексы располагаются по слоевым линиям, перпендикулярным оси вращения. Слоевая линия, проходящая через след от первичного пучка рентгеновских лучей, называется нулевой; расстояние между слоевыми линиями зависит от расстояния между идентичными рассеивающими центрами, расположенными вдоль оси вращения кристалла. [51]
 |
Схематическое изображение рентгенограммы вращения монокристалла. [52] |
Наиболее широко для определения структуры используется метод вращения кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеновское излучение, а в качестве исследуемого образца - монокристалл. Так как монокристаллы получены отнюдь не для всех полимеров, а размеры полученных монокристаллов слишком малы, то при исследовании полимеров используются ориентированные, максимально закристаллизованные полимерные пленки или волокна. При вращении кристалла вокруг какой-либо оси рентгеновские лучи, направленные перпендикулярно к этой оси, в определенный момент ( времени оказываются по отношению к некоторым кристаллографическим плоскостям в положении, при котором выполняется формула Вульфа - Брэгга. В этом случае возникает дифрагированный рентгеновский луч, который приводит к появлению рефлекса ( пятна) на цилиндрической фотопленке, ось которой совпадает с осью вращения кристалла. На цилиндрической фотопленке рефлексы располагаются по слоевым линиям, перпендикулярным к оси вращения. Слоевая линия, проходящая через След от первичного пучка рентгеновских лучей, называется нулевой. Расстояние между слоевыми линиями зависит от расстояния между идентичными рассеивающими центрами, расположенными вдоль оси вращения кристалла. [53]
Как будет вести себя спектр ЭПР при вращении кристалла, когда магнитное поле направлено перпендикулярно оси симметрии дефекта. [54]
Чтобы устранить неопределенность, не всегда требуется осуществить полное вращение кристалла. Обычно достаточно выполнить измерения для одной ориентации. [55]
После этого процесс кристаллизации продолжают с программированием скорости вращения кристалла. [56]
Программоноситель - пятидорожечная телеграфная лента; угловой диапазон вращения кристаллов 360, угловые диапазоны вращения счетчика вокруг главной оси гониометра при jj, - д 0 от - 30 до 157, при ( хпр Фдр 60 от - 30 до 116, угловой диапазон вращения счетчика вокруг оси Ф от - 2 до 92 при ц, 0; угловой диапазон вращения рентгеновской трубки вокруг оси [ i от - 2 до 92 при [ i 0, предельные углы наклона трубки и счетчика ц пр фпр 60, точность автоматической установки кристалла и счетчика в заданное положение 0 02, точность установки счетчика и рентгеновской трубки на углы [ г и & 0 02; скорость установочных перемещений кристалла и детектора 300 град / мин, скорости перемещений кристалла при измерении интенсивности 8; 4; 2; 1; 0 5 град / мин; детекторы рентгеновского излучения - сциптилляционный и пропорциональный счетчики; регистрация результатов измерений на перфоленте цифропечатаю-щего устройства и на ленте самопишущего потенциометра; рентгеновская трубка БСВ-11; максимальное выпрямленное напряжение 50 кв при токе 30 ма, потребляемая мощность не более 5 ква; питание от сети 220 в, 50 гц общий вес 800 кг. [57]
При использовании метода рентгеноструктурного анализа, основанного на вращении кристалла, необходимо иметь монокристалл подходящих размеров. Кроме того, чтобы удовлетворялись условия применения формулы ( 1 - 3 - 21), монокристалл должен быть ориентирован определенным образом по отношению к направлению облучающего его рентгеновского потока. Это вызывается тем, что интерференция наблюдается только для определенного положения монокристалла. Так называемый метод Дебая - Шеррера основан на использовании поликристаллических тел или порошковых веществ и носит также название порошкового метода. Этот метод основан на использовании эффекта, возникающего под действием облучения рентгеновскими лучами кристаллического порошка, зерна которого имеют беспорядочную ориентацию. Следовательно, если поместить фотопленку в плоскость, перпендикулярную к облучающим рентгеновским лучам, то под их действием от каждой отдельной сетчатой плоскости на фотопластинке возникнут концентрические окружности. Такие окружности называют кольцами Дебая. [58]
 |
Оценка интенсивности фона при. [59] |
Пусть график рис. 58 изображает изменение интенсивности при вращении кристалла. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5