Время - жизнь - носитель
Cтраница 1
Время жизни носителей не будет зависеть от положения уровня Ферми ( концентрации электронов), пока он не окажется вблизи от уровня ловушек, так как до этих пор все ловушки будут заполнены, и первая фаза рекомбинации будет происходить одинаково быстро. Вторая фаза рекомбинации ( заполнение ловушки электроном из зоны проводимости) происходит еще достаточно быстро. [2]
Время жизни носителей в z - области начинает зависеть от тока, когда излучательное время жизни ( т), рассчитанное по теории Рос-брука - Шокли, сравнивается с везызлучательным временем жизни. [3]
Время жизни носителей зависит от концентрации подвижных носителей противоположного знака и некоторых других факторов. [4]
Время жизни носителей в базе транзисторов не оказывает существенного влияния на быстродействие схемы, так как ключевые транзисторы в схеме охвачены нелинейной обратной связью, ( предотвращающей насыщение. [5]
Время жизни носителей на кремнии с плотностью дислокаций - 2 ( X 10 1 см-2 и на бездислокациониом кремнии с описываемыми дефектами резко уменьшается с понижением температуры, что связано с рекомбина-ционными уровнями, обусловленными дислокациями и большим скоплением вакансий. Это, в свою очередь, существенно отражается на работе приборов при пониженных температурах. Особенно заметно данное явление сказывается при большом рабочем объеме детектора. [6]
 |
Прямые переходы. экстремумы.| Прямые и непрямые переходы для зонной структуры Ge. [7] |
Время жизни носителей определяется рекомбинац. [8]
Обозначим время жизни носителей в пассивной области через тп. [9]
 |
Структура полупроводникового лазера. [10] |
Так как время жизни носителей в режиме генерации лазера очень мало ( - 10 - 13 с), то частота модуляции может быть очень высокой. Это свойство полупроводниковых лазеров в сочетании с их микроминиатюр-иостыо делает возможным разработку на их основе сверхбыстродействующих счетно-решающих машин и устройств. [11]
 |
Зависимость времени жизни т ( в логарифмическом масштабе от положения уровня Ферми &v. [12] |
Теперь рассмотрим время жизни носителей при рекомбинации через глубокие уровни. Поскольку в числителе и знаменателе этого выражения содержатся величины я и р, то, вообще говоря, его анализ достаточно сложен. [13]
Следует различать стационарные и нестационарные времена жизни носителей. [14]
Для уменьшения времени жизни носителей базу диода легируют золотом. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5