Время - жизнь - носитель
Cтраница 2
Концентрационное уменьшение времени жизни носителей происходит не только при высоком уровне легирования, но и при высоких уровнях возбуждения. [16]
Известно, что время жизни носителей в интервале температур от - 65 до 125 С увеличивается в 1 5 - 2 раза. [17]
Для различных полупроводников время жизни носителей имеет значение от 10 - 13 с до десятков и сотен секунд. [18]
 |
Температурная зависимость дрейфовой подвижности при проводимости, обусловленной малыми поляронами. На графике показаны два режима переноса, предсказанные теорией Холштейна. [19] |
Здесь т - время жизни носителя, определенное рассеянием в ноляронной зоне; W - ширина поляронной зоны; X - средняя длина пробега носителя; а - среднее межмолекулярное расстояние. [20]
Отрицательное влияние на время жизни носителей могут оказывать дефекты нескольких типов. [21]
Как влияет величина времени жизни носителей на прямое сопротивление диода и на его импульсные характеристики. [22]
 |
Конструкция полуволнового волноводного включателя. [23] |
При наличии таких устройств время жизни носителей в i-области обесточенной р - i - п-структуры оказывается резко сниженным, а величины 0 / малыми. По мере роста тока ловушки забиваются носителями и время жизни носителей в t - области растет. [24]
При высоком уровне инжекции время жизни носителей в базе также изменяется. К изменению времени жизни в объеме добавляется изменение скорости поверхностной рекомбинации. В результате соотношения между током базы и током эмиттера (2.21) и (2.23) искажаются. [25]
 |
Картина прохождения тока базы ( а. распределение потенциала в базе фБ и плотности инжекционного тока эмиттера JQP при некотором напряжении ( / ЭБ между выводами эмиттера и базы ( б. [26] |
При высоком уровне инжекции время жизни носителей в базе также изменяется. К изменению времени жизни в объеме добавляется изменение скорости поверхностной рекомбинации. В результате соотношения между током базы и током эмиттера (4.21) и (4.23) искажаются. [27]
Факторы, влияющие на время жизни носителей в соединениях AI. IBV, до настоящего времени однозначно не идентифицированы. [28]
Следует упомянуть, что время жизни носителя является одним из наиболее важных параметров, определяющих как статическое, так и динамическое поведение носителей в диодах и транзисторах. Существуют некоторые полезные несовершенства в виде регулируемых количеств химических примесей. Действительно, без этих примесей нельзя создать хорошие диоды и транзисторы. [29]
Естественно, чем больше время жизни носителя, тем на большее расстояние L он может переместиться, диффундировать под воздействием градиента концентрации, образовавшегося в результате появившихся избыточных неравновесных носителей. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5