Время - жизнь - носитель
Cтраница 3
С увеличением температуры увеличивается время жизни носителей, поэтому а становится несколько больше. [31]
С увеличением температуры увеличивается время жизни носителей, поэтому / г21б становится несколько больше. [32]
Чувствительность фоторезистора прямо пропорциональна времени жизни носителей и коэффициенту усиления по току. [33]
 |
Изменение положения уровня Ферми ( а и времени жизни ( б в зависимости от температуры. [34] |
Практический интерес представляет зависимость времени жизни носителей от температуры. Она похожа на рассмотренную выше кривую зависимости т от концентрации основных носителей и имеет четыре характерных области. [35]
ТБ - эффективная постоянная времени жизни носителей в базе, учитывающая убыль основных носителей вследствие рекомбинации и уход их через эмиттерные переходы при коэффициентах инжекции переходов, не равных единице; ( Б ( 0 - полный ток, поступающий в базу. [36]
 |
Изменение положения уровня Ферми ( о и времени жизни неосновных носителей ( б в зависимости от температуры. [37] |
Практический интерес представляет зависимость времени жизни носителей от температуры. Она похожа на рассмотренную выше кривую зависимости т от концентрации основных носителей. На кривой рис. 6.14 6 можно выделить также четыре характерные области. [38]
Стационарное значение фотопроводимости определяется временами жизни носителей. [39]
 |
Двойная инжекция. [40] |
В тех случаях, когда время жизни носителей существенно зависит от уровня инжекции их в пленку, зависимость / - V3 нарушается. При этом, если время жизни т уменьшается с ростом концентрации инжектированных носителей п, ток с напряжением меняется медленнее, чем - Vs ( кривая 2, рис. 10.8, б); если т увеличивается с ростом п, то 7 растет быстрее, чем Vs. [41]
Остается еше рассмотреть возможность увеличения времени жизни носителей одного знака при введении уровней рекомбинации какого-то другого типа. В этом заключается смысл модели для объяснения очувствления. Ниже выбран простой количественный пример для иллюстрации этой модели. [42]
 |
Кривые спектральной чувствительности беспримесных ФР.| Кривые спектральной чувствительности монокристаллических ФР.| Световые характеристики ФР ( фотодиодов. [43] |
Инерционность ФР увеличивается с увеличением времени жизни носителей. [44]
В последнее время для измерения времени жизни неос-ловных носителей кремния находит широкое применение фазовый метод. На рис. 2 - 21 изображена схема установки для измерения времени жизни этим методом. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5