Cтраница 5
Более удобный способ основан на зависимости тг от времени жизни носителей. [61]
Время релаксации неравновесного состояния может быть намного больше времени жизни носителей, особенно у широкозонных полупроводников. Внутри многослойных структур после засветки ( прохождение импульса тока) сохраняются области объемного заряда с большими разностями потенциалов. Последующее приложение напряжения требует введения меньших зарядов для обеспечения стационарного распределения объемных зарядов, так как основная часть зарядов в нейтральных областях уже имеется. Перезарядка емкостей переходов обеспечивается в основном токами смещения через эти переходы и перемещением объемного заряда от прямосмещенных переходов к обратносмещенным. [62]
Ап ( п-пр 0) и с учетом времени жизни тп носителей равна ( п - / гР0) / тп. [63]