Время - жизнь - носитель
Cтраница 4
При малой по сравнению с временем жизни носителей насыщенного транзистора 7 постоянной времени цепи разряда конденсатор может разрядиться раньше момента выхода транзистора Тг из режима насыщения. В этом случае формирование импульса заканчивается только в момент выхода транзистора Tj из режима насыщения, после чего потенциал его коллектора начнет уменьшаться, а транзистор Tt - отпираться. Описанные процессы, таким образом, периодически повторяются. [46]
 |
Вероятность заполнения энергетических уровней в равновесном состоянии ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2, т. е. при освещении фоторезистора. [47] |
С ростом концентрации ре-комбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей, что и приводит к сублинейной зависимости световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности у фоторезисторов различные в зависимости от наличия разнообразных примесей и их концентрации. [48]
Как известно, в полупроводниковом кристалле время жизни носителей т уменьшается с увеличением концентрации примесей. Поэтому в базе дрейфового триода время жизни имеет наибольшую величину вблизи коллекторного перехода. В режиме насыщения электрическое поле способствует накоплению носителей тоже вблизи коллекторного перехода. Соответственно постоянная времени tH определяется временем жизни, усредненным не по всей базе, а преимущественно по той ее части, которая прилегает к коллекторному переходу. Постоянная же времени fBtr определяется средним временем в той области базы, которая расположена вблизи эмиттерного перехода, где накапливается основная масса носителей при работе триода в нормальном активном режиме. [49]
Какой зависимостью связаны диффузионная длина и время жизни носителей. [50]
С повышением температуры тиристора из-за увеличения времени жизни носителей и из-за соответствующего роста коэффициентов передачи токов отпирающий ток управления, а значит, и напряжение управления уменьшаются. [51]
Постоянная времени нарастания тн приблизительно равна времени жизни носителей при инверсном включении. [52]
Величина 1 / т, обратная времени жизни носителей, будет характеризовать скорость рекомбинации. [53]
Среднее значение этого промежутка времени называется временем жизни носителей и обозначается для дырок Тр, а для электронов тп. Время жизни носителей зависит от концентрации подвижных носителей противоположного знака и некоторых других факторов. [54]
Явление поверхностной рекомбинации принято характеризовать не временем жизни TS носителей на поверхности, которое зависит от отношения поверхности кристалла к его объему, а скоростью поверхностной рекомбинации, смысл которой станет ясным из следующих соображений. [55]
Как показано выше, факторы, снижающие время жизни носителей в GaAs, не идентифицированы. Причиной, снижающей подвижность, является обычно содержание различных примесей. Транзисторы из GaAs могут работать при обычных температурах и не требуют сложных охлаждающих устройств. Напротив, транзисторы из InSb и InAs обладают еще большей предельной частотной границей, но они не могут работать при комнатной температуре. [56]
Среднее время существования носителей зарядов принято называть временем жизни носителей. За время жизни в результате диффузионного движения носители проходят некоторое среднее расстояние L, называемое длиной диффузионного смещения. [57]
Основной параметр, определяющий фотопроводимость полупроводника, - время жизни носителей. [58]
Ом-см ( получен бестигельной зонной плавкой); время жизни носителей в базовой области 50 - 100 икс; толщина фронтального р - слоя 0.4 мкм; толщина тыльного и - слоя 1 - 2 мкм; площадь СЭ 0.8 - 4 см2; ширина контактных полос 28 мкм, толщина 7 - 12 мкм и расстояние между полосами 350 мкм. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5