Время - пролет - носитель
Cтраница 1
 |
Векторные диаграммы токов транзистора на разных частотах. [1] |
Время пролета носителей через базу тпр у обычных транзисторов составляет приблизительно 0 1 мкс. Конечно, это время очень мало, но на частотах порядка единиц - десятков мегагерц становится заметным некоторый сдвиг фаз между переменными составляющими токов / э и / к. Это приводит к увеличению переменного тока базы и, как следствие, к снижению коэффициента усиления по току. [2]
Время пролета носителей через область объемного заряда ( шириной d) можно оценить как Tid / imax, ГДе fmax - максимальная скорость движения носителей в электрическом поле, которая при больших полях не зависит от напряженности электрического поля вследствие уменьшения подвижности в сильных полях. В германии и кремнии итах 5Х ХЮ6 см / с, d зависит от величины обратного напряжения и концентрации основных носителей в базе и обычно меньше 5 мкм. [3]
Время пролета носителей ( тс) - Для МОП-транзисторов, служащих функциональными элементами БИС, большое значение имеет скорость переключения, которая определяется временем гпролета носителей в канале тс. [4]
Время пролета носителей через базу практически не оказывает влияния на граничную частоту усиления транзистора в микрорежиме. [5]
Когда время пролета носителей через базу tuf оказывается большим, размытие импульсов тоже увеличивается. Тогда, если сигнал представляет собой последовательность импульсов, они перестают различаться в токе коллектора. Это вторая причина того, что высокочастотные сигналы искажаются транзистором. [6]
 |
Искажение сигнала при прохождении носителей заряда через коллекторный. [7] |
Когда время пролета носителей заряда через базу 1 р0л оказывается большим, размытие импульса тоже увеличивается. Тогда, если сигнал представляет собой последовательность импульсов, они перестают различаться в токе коллектора. [8]
 |
Искажение сигнала при прохождении носителей через р-я-переход коллектора. [9] |
Когда время пролета носителей заряда через базу tapoll оказывается большим, размытие импульсов тоже увеличивается. Тогда, если сигнал представляет собой последовательность импульсов, они перестают различаться в токе коллектора. [10]
 |
Искажение сигнала при прохождении носителей заряда через коллекторный. [11] |
Когда время пролета носителей заряда через базу ( щюл оказывается большим, размытие импульса тоже увеличивается. Тогда, если сигнал представляет собой последовательность импульсов, они перестают различаться в токе коллектора. [12]
 |
Формы часто используемых импульсов.| Переходная характеристика. [13] |
Это сокращает время пролета носителей через базу, а следовательно, и уменьшает емкость СЭ6 - Транзисторы, в которых используется этот принцип, называются дрейфовыми. Дрейфовые транзисторы в настоящее время являются наиболее распространенным видом высокочастотных транзисторов. [14]
При всех интенсивностях время пролета носителей было достаточно мало, поэтому и их бимолекулярной рекомбинацией можно было пренебречь. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5