Время - пролет - носитель
Cтраница 4
Следует отметить, что поскольку с изменением напряжения на коллекторном переходе изменяются лишь постоянная времени пролета носителей через базу ( за счет изменения ширины базы) и постоянная времени выходной цепи ( за счет изменения емкости коллектора), а постоянная времени входной цепи не претерпевает значительных изменений, на основании вышеизложенного можно заключить, что граничная частота усиления транзистора в микрорежиме практически не зависит от величины напряжения питания. Это обстоятельство подтверждается экспериментом. [46]
 |
Зависимости параметров физической эквивалентной схемы транзистора ог температуры.| Зависимости Л - параметров транзнсторй от температуры. [47] |
В § 4.9 отмечалось, что на коэффициент передачи тока влияют емкость цепи эмиттера, время пролета носителей заряда через базу, время пролета носителей через область объемного заряда коллектора и постоянная времени цепи коллектора. [48]
В § 4 9 отмечалось, что на коэффициент передачи тока влияют емкость цепи эмиттера, время пролета носителей заряда через базу, время пролета носителей через область объемного заряда коллектора и постоянная времени цепи коллектора. [49]
Справедливость соотношений (4.71) - (4.77) сохраняется вплоть до частот, когда период сигнала начнет приближаться ко времени пролета носителей заряда через базу. [50]
Справедливость соотношений (2.71) - (2.77) сохраняется вплоть до частот, когда период сигнала начнет приближаться ко времени пролета носителей заряда через базу. [51]
Справедливость соотношений (4.71) - (4.77) сохраняется вплоть до частот, когда период сигнала начнет приближаться ко времени пролета носителей заряда через базу. [52]
 |
Характер изменения / i - na. [53] |
Добавим к этому времени другие временные задержки, а именно: время заряда эмиттерного барьера te, время пролета носителей через коллекторный обедненный слой тс1 и время заряда - коллекторного обедненного слоя тса. [54]
 |
Методика TCP. [55] |
При этом безразмерное время т выражается через размерное время т таким образом, что т 1 соответствует времени пролета носителей через образец. [56]
Спад частотной характеристи - fifMru ки начинается на таких частотах, когда период сигнала становится сравнимым с временем пролета носителей от места их ffl генерации до р - - перехода. [58]
 |
Схема полевого транзистора, используемого в качестве активного резистора. [59] |
При уменьшении величины 1 / зи пор снижается сопротивление канала, а при создании МДП-транзисторов с короткими каналами сокращается время пролета носителей заряда между истоком и стоком, вследствие чего повышается быстродействие МДП-ИМС. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5