Время - пролет - носитель
Cтраница 3
Исследования электронного переноса, проводимые с помощью измерений времени пролета носителей заряда в a - Si: H, предпринимались во многих работах. Разноречивость опубликованных сведений свидетельствует о том-что электронно-транспортные свойства a - Si: H очень чувствительны к условиям получения материала. [31]
В общем случае время нарастания тока определяется как временем пролета носителей, так и емкостью диода. [32]
 |
Характеристика спектра фотопро - малое расстояние между ОМИ-водимости фоторезистора ческими контактами. [33] |
Таким образом коэффициент усиления определяется временем жизни и временем пролета носителей. [34]
 |
Структура МДП-транзис-тора с индуцированным каналом гс-типа.| Структура МДП-транзис-тора со встроенным каналом я-типа. [35] |
Хотя МДП-транзистор свободен от ограничений, связанных с временем пролета носителей заряда, наличие паразитных емкостей перехода является причиной другого недостатка, связанного с уменьшением произведения коэффициента усиления на ширину полосы пропускания. Однако к настоящему времени разработаны конструкции МДП-транзисторов, которые обеспечивают получение достаточно высоких значений произведения коэффициета усиления на ширину полосы пропускания. [36]
Рассмотрим, в каких случаях и в какой степени время пролета носителей через широкий коллекторный переход может влиять на частотные свойства транзисторов. [37]
Вследствие малой толщины базы ( порядка 100 А) время пролета носителей через нее очень мало ( Ю-13... [38]
Этот режим работы основан на использовании лавинной ионизации и времени пролета носителей в р - n - переходе. Распределение поля в переходе зависит от структуры перехода и закона распределения примесей. [39]
 |
Изменение, электрического поля в обедненном слое зарядом движущихся носителей. [40] |
Постоянная времени тмин не зависит от толщины обедненного слоя, а время пролета носителей через обедненный слой пропорционально его толщине. [41]
Граничная частота полевого транзистора определяется инерционностью фотодиода в области затвора и временем пролета носителей заряда через канал; это время находится в интервале 10 6 - 10 - 9 с. Фоточувствительность полевых фототранзисторов значительно выше, чем у биполярных, и достигает значений до 10 А / лм. Фототранзисторы служат для приема, преобразования и усиления светового сигнала. [43]
Вследствие того, что носители тока перемещаются в сильных полях, значения времени пролета носителей тока малы и триод может работать на высоких частотах. Инерционность триода определяется в основном величиной емкости управляющего электрода, которая может быть сделана достаточно малой. [44]
Вследствие того, что носители заряда в полевом транзисторе перемещаются в сильных полях, время пролета носителей мало и триод может работать на высоких частотах. Инерционность триода определяется в основном величиной емкости управляющего электрода, которая может быть сделана достаточно малой. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5