Время - пролет - носитель
Cтраница 5
Как видно из рис. 3 и 4, скачки тока отсутствуют в модели Агаханява, которая предполагает, что из-за дисперсии времени пролета носителей через базу изменение заряда будет пропорционально не только токам через переходы, о и скорости изменения токов. [61]
В § 4.9 отмечалось, что на коэффициент передачи тока влияют емкость цепи эмиттера, время пролета носителей заряда через базу, время пролета носителей через область объемного заряда коллектора и постоянная времени цепи коллектора. [62]
 |
Эквивалентная схема транзистора. [63] |
Однако в области высоких частот, когда начинает проявляться зависимость свойств транзистора от емкости эмиттерного и коллекторного р-п-пе-реходов, а также от времени пролета носителей зарядов от эмиттерного до коллекторного р-а-переходов, параметры транзистора становятся комплексными величинами. В этих условиях пользоваться уравнениями (2.9) и (2.10) неудобно. Более удобным оказывается представить усилительный элемент расчетной, эквивалентной электрической схемой, показанной на рис. 2.14. Она получила название Т - образной физической схемы. Величина гд, имеющая размерность сопротивления, отображает условия прохождения носителей зарядов через эмиттерный р-п-переход, гб - условия прохождения свободных носителей зарядов в базе, гк - условия прохождения носителей зарядов через коллекторный р-я-переход, Сд и С - зарядные емкости эмиттерного и коллекторного р - / г-переходов соответственно Усилительные свойства транзистора представлены генератором тока cua - В эквивалентной схеме рис. 2.14 коэффициент передачи тока а а ( 0 зависит от времени. При использовании символического метода считаем коэффициент а 1а ( /) 1 зависящим от частоты. [64]
В § 4 9 отмечалось, что на коэффициент передачи тока влияют емкость цепи эмиттера, время пролета носителей заряда через базу, время пролета носителей через область объемного заряда коллектора и постоянная времени цепи коллектора. [65]
Если бы для всех носителей заряда в базе траектории и скорости были одинаковы, то коллекторный ток через некоторое время задержки, равное времени пролета тпр носителей через базу, идеально воспроизвел бы форму тока эмиттера. Однако, как уже известно из параграфа 7.8, траектории и скорости движения носителей в базе различны. В установившемся режиме, когда ток коллектора равен току насыщения / к нас, в базе транзистора имеется некоторая избыточная ( по сравнению с равновесной) концентрация дырок и электронов. [66]
Как показывают расчеты, эта аппроксимация дает несколько заниженные значения модуля коэффициента переноса, а на высоких частотах - и фазового сдвига Но зато время пролета носителей через базу легко найти из их распределения. [67]
Страницы: 1 2 3 4 5