Время - пролет - носитель
Cтраница 2
Для биполярных транзисторов время пролета носителей в базе, определяемое ее шириной, и раньше было достаточно малым. Путем сужения ширины эмиттера была уменьшена емкость слоя объемного заряда эмиттерного перехода и тем самым сокращено время заряда и разряда эмиттерного перехода, а методом самосовмещения было уменьшено сопротивление базы. [16]
Быстродействие МДП-транзисторов ограничено временем пролета носителей вдоль канала и временем перезаряда собственной емкости через солротивление канала. Однако быстродействие микросхем на МДП-транзисторах значительно ниже. [17]
Инерционность ФД определяется временем пролета носителей ( 10 - 8 - К) - - с) и постоянной времени С-цепи, образованной емкостью p - n - перехода и последовательно включенной с ней суммой сопротивлений собственно ФД и нагрузки Ra. Емкость р-я-перехода для фотодиодов составляет в зависимости от площади пере - а) хода 10 - 100 пФ и уменьшается с уве - - личением обратного напряжения, приложенного к переходу. [18]
 |
Предельные значения статических параметров. [19] |
Время задержки t3 определяется временем пролета носителей заряда во внутренних областях четырехслойной структуры и временем, в течение которого сумма коэффициентов передачи по току достигает. [20]
Кроме того, чем меньше время пролета носителей, тем быстрее нарастает до максимума импульс тока сквозь кристалл и соответствующий импульс напряжения, подаваемый на вход усилительной системы и амплитудный анализатор. [21]
 |
Гибридная П - образная эквивалентная схема. [22] |
Режим работы, при котором время пролета носителей заряда через базу оказывается соизмеримым с периодом управляющего напряжения, называется динамическим. В этом режиме усилительные свойства транзистора ухудшаются, главным образом, из-за инерционности процессов накопления и рассасывания инжектиро-ваиных в базу носителей заряда. [23]
 |
Динамическая модель биполярного транзистора Эберса - Молла ( actw. [24] |
Тэ и Тк - постоянные времени пролета носителей через базу при нормальном и инверсном включении транзистора соответственно. [25]
Основной причиной инерционности биполярных транзисторов является время пролета носителей тока через тело кристалла, и главным образом через его базу. Это справедливо в первую очередь для схемы включения транзистора с общей базой. Но в цифровой технике в подавляющем большинстве случаев используется схема с общим эмиттером как наиболее выгодная энергетически. Ее быстродействие ограничивается временем накопления заряда в базе при включении транзистора, но особенно - временем рассасывания этого заряда при выключении и выходе транзистора из насыщения. Для расчета времени переключения биполярных транзисторов был предложен ряд моделей, на основе которых это время было связано с физическими параметрами приборов. В настоящее время общее признание получили две модели, приближенно, но достаточно верно описывающие процессы в биполярном транзисторе. [26]
Частотные свойства плоскостных полупроводниковых приборов определяются временем пролета носителей тока через базовую область. Поэтому получение тонкого базового слоя относится к числу необходимых условий, предъявляемых при конструировании высокочастотных приборов. [27]
Частотная характеристика точечно-контактных полупроводниковых триодов зависит от времени пролета носителей тока между эмиттером и коллектором и от вида траекторий дрейфа носителей. [28]
 |
С. ема ЛПД типа /, п-г. распределение напряженности. [29] |
Относительная инерционность процесса ударной ионизации и конечное значение времени пролета носителей через область пространственного заряда являются причиной запаздывания СВЧ-тока диода от напряжения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5