Ион - аргон
Cтраница 2
После очистки бомбардировкой ионами аргона и обезгаживания активность никелевого катализатора, радиационно закаленного в высоком вакууме при температурах, начиная от 850 и выше, по отношению к реакции водорода с этиленом приблизительно в семь раз превышала активность катализатора, подвергнутого указанной обработке с последующим отжигом при 500 в течение 1 - 3 мин. [16]
Радиационный захват электрона ионом аргона представляет собой процесс столкновений двух тел, описываемый реакцией (13.48), идущей влево. Обычно образующиеся при этом нейтральные атомы находятся в возбужденном состоянии. [17]
При бомбардировке стали ионами аргона поверхностный слой получает вначительное упрочнение, а то время как з нижележащем слое тепловое воздействие вненвает процессы, ведущие к распаду мартенсита. И стали 40ХН высокотемпературен отпуск разрушил мартенситнув структуру и разогрев детали в результате ионной обработки не сказывается на износостойкости. [18]
В случае облучения алюминия ионами аргона было обнаружено испускание молекул вплоть до АЬ, а присутствие А18 было лкшь едва заметно. [19]
 |
Устройство ОКГ, использующего иоиы аргона. [20] |
Срок службы ОКГ на ионах аргона определяется качеством капилляра. Долговечнее кварцевых оказываются секционированные металлокерамические конструкции, которые состоят из ряда тугоплавких металлических колец, разделенных керамическими кольцами. [21]
При частотах 107 Гц и выше ион аргона на пути из плазмы к мишени не может пройти всю ионную оболочку за один период, и на короткое время в каждый период он оказывается в нейт-ральной плазме. Таким образом, этот ион в течение следующих один за другим периодов многократно ускоряется и никогда не испытывает замедления, поскольку в электронной оболочке с ее высокой электропровод-костью не могут поддерживаться высокие градиенты электрического поля. Для оценки наиболее приемлемого частотного диапазона в трехэлект-родной системе ВЧ распыления руководствуются следующими соображениями. Если внешний или внутренний конденсатор имеет очень малую емкость, то он в результате ионной бомбардировки мишени очень быстро теряет свой заряд. Так, при емкости такого конденсатора 10 пФ / см2 и плотности ионного тока 10 мА / см2 скорость изменения напряжения на конденсаторе составляет 109 В / с. Если изменения напряжения иа конденсатора за период не превышают 100 В, то следует работать на частотах выше 10 МГц. [22]
Зависимости коэффициента распыления меди от энергии ионов аргона для об ласти высоких энергий, полученные различными авторами. [23]
На оже-спектре после обработки стального диска ионами аргона обнаружено лишь железо; кислорода, углерода и серы не оказалось. [24]
Распыление поликристаллического катода из GaAs осуществляли ионами аргона ( р - 0 025 - 0 12 мм рт. ст.) при следующих условиях: [ / - - - - 1 25 - 2 4 кв, I 0 8 - 0 02 ма / см2, т 110 - 150 мин. Анодом служил молибденовый диск на расстоянии 1 5 - 3 см от катода. [25]
Для создания активной среды, которой являются ионы аргона, через трубку пропускается высоковольтный разряд. [26]
Кристалл никеля был очищен откачкой, бомбардировкой ионами аргона и прокаливанием. При постепенном нагревании кристалла до 800 С в результате выделения СО наблюдалось увеличение давления до величины - 10 - 7 мм рт. ст. Через несколько дней было получено давление 5 - Ю 10 мм рт. ст. при нагретом до этой температуры кристалле. [27]
Газовый лазер, в котором активной средой являются ионы аргона, создает мощное излучение до 1 Вт ( этого достаточно, чтобы от лазера можно было зажечь спичку) с длиной волны Я488нм в зеленой области спектра. При таком наклоне-значительно уменьшаются потери при многократном прохождении излучения через окна. [28]
При травлении ионной бомбардировкой тяжелые частицы, например ионы аргона, бомбардируя поверхность пленки, распыляют с нее атомы. При низких давлениях газоразрядной плазмы, когда отсутствует диффузионное рассеяние ионов, они бомбардируют подложку перпендикулярно поверхности пленки, и эффект под-травливания не возникает. Поэтому точность формирования элементов ИС и разрешающая способность процесса фотолитографии сохраняются почти теми же, что были достигнуты при проявлении фоторезиста. В процессе ионного травления вместе с рабочим материалом пленки распыляются и атомы с поверхности защитного слоя фоторезиста. Поэтому фоторезистивная маска должна иметь толщину, которая бы обеспечивала надежную защиту рисунка ИС в течение всего процесса травления. Кромка, образующаяся в результате травления, должна быть как можно более вертикальной. Если же маска имеет скосы на кромках, контур травящего материала будет повторять эти скосы. [29]
Все рекомбинационные процессы относятся к рекомбинации электронов и ионов аргона и представлены реакциями (13.43), (13.48) и (13.49), идущими влево. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5