Cтраница 5
![]() |
Конструкции диодов Шоттки ( Me - металл с охранным кольцом ( и и с тонким окислом по периферии контакта и расширенным электродом ( б. [61] |
Для устранения диэлектрического слоя после травления окисла непосредственно в вакуумной - камере перед распылением металла может проводиться, например, ионно-плазменная очистка поверхности Si ионами аргона. [62]