Ион - аргон
Cтраница 3
Следующее столкновение с электроном обусловливает переход внешних электронов иона аргона ( Аг) в одно из нескольких 4р - состояний, в результате последующего перехода в 45-состояние возникает линия излучения. Таким образом, переходы между различными уровнями в 4р - и 45-состояниях сопровождаются излучением при 4880, 4965 и 5145 А. [31]
 |
Влияние охлаждения ионизационной камеры на масс-спектр молекулярного иода и давление в ионизационной камере. [32] |
Токи ионов it и 1 отнесены к току ионов аргона при каждой температуре. [33]
Следующее столкновение с электроном обусловливает переход внешних электронов иона аргона ( Аг) в одно из нескольких 4р - состояний, в результате последующего перехода в 45-состояние возникает линия излучения. Таким образом, переходы между различными уровнями в 4р - и 45-состояниях сопровождаются излучением при 4880, 4965 и 5145 А. [34]
Измерения показали, что один регистрируемый за период колебания ион аргона соответствует парциальному давлению аргона 1 10 - 8 ммрт. Уровень шумов электронного умножителя, измеренный в интервале масс, равном единице, составляет около одного импульса, равного по величине импульсу, создаваемому одним ионом, за 106 колебаний, что соответствует парциальному давлению в ионном источнике 1 - 10 - 14 мм рт. ст. Абсолютная чувствительность, однако, ограничена в действительности не шумами, а составом и количеством остаточного газа в вакуумной системе. Специально не предпринималось никаких мер для достижения максимального вакуума путем длительного прогрева, хотя конструкция прибора позволяет осуществить такой прогрев. Мы считали вполне достаточным ограничиться давлением около 1 - 10 - 7 мм рт. ст. Ртутный насос с эффективной ловушкой дает очень низкое парциальное давление газов почти во всей области масс-спектра. [35]
 |
Нейтрализация иона на поверхности металла, сопрово-ждаемая эмиссией огеровского электрона ( следуя Хагструму. [36] |
Установлено, что если на чи-стую поверхность вольфрама направить ионы аргона, то электроны Удаляются ИЗ вольфрама. [37]
 |
Временной ход интен - ТОКЯПрОХОДИТ ЧербЗМИНИМуМ. [38] |
На рис. 9.1 даны осциллограммы спектральных линий атома и ионов аргона; чем выше заряд иона, тем позднее достигается максимум яркости. [39]
Авторы предположили, что этой энергии достаточно для внедрения ионов аргона в поверхностный слой, где они затем удерживаются, и что подобный механизм захвата справедлив также для атомов аргона. Авторы наносили никелевые пленки в обычных устройствах ионного распыления и изучали зависимость концентрации захваченных атомоь аргона от смещения, прикладывавшегося к подложке. Увеличение концентрации аргона для напряжений больших 100 В подтверждает высказанное авторами предположение. Весьма интересен вид кривой для напряжений от 0 до 100 В. Относительно высокая концентрация агомов аргона в пленках, осажденных при нулевом смещении, объясняется бомбардировкой растущих пленок быстрыми нейтральными атомами с энергией 100 эВ и выще, отраженными от катода. Уменьшение концентрации аргона при смещениях от 0 до 100 В объясняется ионным распылением некоторой части захваченных пленкой атомов аргона. [41]
Этот метод заключается в комбинировании высокотемпературного обезгаживания, бомбардировки ионами аргона и отжига. [42]
Нами проведенн исследования долотной и замковой сталей после обработки поверхности ионами аргона, плазменного покрытия нитридом титана охлаждения жидким азотом. [43]
 |
Десорбция аргона в разряде в атмосфере азота. [44] |
На рис. 3 представлены результаты, полученные при бомбардировке вольфрама ионами аргона. Все другие газы имеют в общем подобные характеристики. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5