Ион - аргон
Cтраница 4
Представляет интерес вопрос об ионно-обменных процессах в ионосфере, приводящих к исчезновению ионов аргона. [46]
После многократной обработки кристалла никеля путем обезгаживания в высоком вакууме, бомбардировки ионами аргона и отжига была получена вполне чистая поверхность кристалла, на что указывала дифракционная картина, характерная только для решетки никеля. При комнатной температуре кислород сначала хемосорбируется в виде двухразмерного гранецен-трированного монослоя. Этот монослой оказывается завершенным по достижении произведением давление X время экспозиции величины 2 - IO - s мм рт. ст. мин. По мере того как экспозиция возрастает, происходит дальнейшая необратимая адсорбция кислорода в виде образования аморфного слоя. При экспозиции, превышающей 10 - 5 мм рт. ст. мин. Если кристалл никеля первоначально покрыт хемосорбированным монослоем углерода, образующим двухразмерную квадратную гранецентрированную решетку, то заметного эффекта в результате адсорбции кислорода при экспозициях меньших, чем 4 - 1СН5 мм рт. ст. мин. При экспозиции выше 10 - 5 мм рт. ст. мин. Как хемосорбировамный кислород, так и закись никеля удаляются нагреванием при 250 - 300, что указывает на диффузию кислорода в никель. [47]
Трущиеся детали ( диск и палец) очищали от окислов, бомбардируя их ионами аргона. Очистку проводили в условиях тлеющего разряда: особочистый аргон напускали при остаточном давлении 2 66 Па; использовали постоянный ток напряжением 1000 В, подаваемый в пространство между диском и шиной. [48]
Генерация осуществляется в непрерывном режиме на переходах между высокорасположенными уровнями конфигураций ЗрМр - 3p44s иона аргона. Наиболее интенсивно излучение на волнах 541 5 и 488 0 нм. Инверсия создается в сильноточном капиллярном разряде низкого давления при каскадном процессе ионизации атома и последующем возбуждении иона в столкновениях с электронами разряда. Нижний лазерный уровень опустошается радиационно. [49]
 |
Структура барьерного слоя полиамидогидразидной мембраны, высушенной вымораживанием.| Дефекты поверхности полиамидогидразидной мембраны, полученной отливкой раствора. [50] |
Кажущееся исчезновение структуры было также отмечено Шульцем и Асунмаа [21] и Кестингом [6], которые применили травление поверхности ионами аргона для того, чтобы наблюдать мицеллярную структуру в барьерных слоях мокро - и сухо-сформированных АЦ мембран. [51]
Арденне с сотрудниками [46] установил, что скорости осаждения пленок Та или S102 при облуче нии этих материалов пучком ионов аргона, при ускоряющем напряже нии 10 кэВ, токе пучка 1 мА и расстоянии мишень-подложка 2 см состав ляют 300 А / мин. Чопра и Рэндлетт ( 47 ] использовали ионный пучок диа метром 0 8 см с током 50 мА и ускоряющим напряжением 2 кэВ и получили скорость осаждения Ag-пленки 400 А / мин при расстоянии мишень - под ложка 8 см. Набло и Кинг [48] распыляли различные металлы, полупро водники я диэлектрики пучком ионов аргона с током 10 мА и ускоряющим напряжением 30 кэВ и на подложках площадью 5X5 см2 получили скорости осаждения пленок 30 - 150 А / мин. Основные недостатки метода ионных пучков заключаются в том, что облучаемая площадь мишени ма ла и метод не позволяет получать высокие скорости осаждения однородных по толщине пленок на подложках большой площади. Однако в последние годы большое внимание привлекли к себе работы по использованию ионных пучков ( Hg) большого диаметра, состоящих из большого чи ела пучков меньшего диаметра, в реактивных двигателях космических аппаратов. Вероятно, применение таких пучков для получения пленок позво лило бы отчасти преодолеть указанные недостатки. [52]
Эти результаты дают основание предположить, что высокая активность по отношению к реакции гидрирования после радиационной закалки или бомбардировки ионами аргона связана с присутствием поверхностных дефектов решетки, которые в значительной степени исчезают при последующем отжиге. Результаты, полученные с никелем, согласуются с принятой точкой зрения, согласно которой природа дефектов в этих двух случаях не одинакова. [53]
В связи с этим наблюдением применявшаяся в настоящем исследовании трубка была сконструирована так, чтобы кристалл можно было бомбардировать ионами аргона, а затем прокаливать, так как предыдущие опыты [4] показали, что поверхности титана и германия можно очистить посредством обезгаживания, бомбардировки ионами аргона и последующим отжигом. [54]
Из предварительных результатов видно, что активность никелевого катализатора после отжига приблизительно такая же, как активность поверхности никеля после бомбардировки ионами аргона. Существенных различий в активностях отожженных и закаленных поверхностей не имеется. Активность никеля в отношении этой реакции приблизительно такая же, как и активность никеля, подтвергнутого бомбардировке ионами аргона, в отношении реакции гидрирования этилена. Активность прибора без катализатора ( фон), обусловленная наличием вольфрамовых проволок в ионизационном манометре Байяра - Альперта или никелевой пленки в той части сосуда, которая подвергается обезгаживанию, или обоими этими факторами, оказалась значительной при комнатной температуре. [55]
Интересно узнать, действительно ли по крайней мере некоторая доля эмиссии ионов К, которую Вы наблюдали в опытах при бомбардировке ионами аргона, обусловлена калием, диффундирующим к поверхности. [56]
Ответ на вопрос, почему не происходит легирование при пропускании через газоразрядник аргона, видимо, следует искать в расчетах энергии взаимодействия ионов аргона и водорода с материалом электродов. [58]
Можно ожидать, особенно при высоких энергиях облучения, что ионы инертных газов, внедренные в материал мишени ( средняя глубина проникновения в медь ионов аргона с энергией I кэВ составляет приблизительно 10 А), влияют на коэффициент распыления. [59]
Эти результаты наряду с другими, приведенными ниже, находятся в согласии с представлением о том, что высокая активность после-радиационной закалки или бомбардировки ионами аргона связана с наличием поверхностных дефектов решетки, которые в значительной мере удаляются при последующем отжиге. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5