Диффузия - неосновной носитель
Cтраница 1
Диффузия неосновных носителей в базе идет от коллектора к запертым эмиттерам. [1]
Возникает диффузия неосновных носителей заряда к границе перехода, где они подхватываются полем и переносятся через переход, как условно показано на рис. 2.13, а. Это явление называется экстракцией носителей заряда. [2]
Уменьшение времени диффузии неосновных носителей уменьшает вероятность их рекомбинации в базе и приводит к росту коэффициента переноса Я. [3]
L - длина диффузии неосновных носителей; е - заряд электрона; k - постоянная Больцмана; Т - температура; V - прямое напряжение; Fft - диффузионное напряжение; d - толщина диода. [4]
Ток коллектора обусловлен диффузией неосновных носителей ( дырок) в базе от эмиттерного перехода к коллекторному. Ток эмиттера обусловлен инжекцией дырок в базу, восполняющей расход дырок в базе вследствие диффузии и рекомбинации. Необходимо отметить, что представленная картина процессов в транзисторе упрощена с целью пояснения расчетной модели, используемой в методе заряда. [5]
Поскольку накопление заряда связано с диффузией неосновных носителей, эту емкость называют диффузионной. [6]
Точные эквивалентные схемы [4, 5] для отображения диффузии неосновных носителей через область базы требуют введения цепи реостатно-емкостной связи и, следовательно, слишком сложны. [7]
Это обеспечивает условия квазинейтральности, при которых диффузия неосновных носителей тока протекает аналогично диффузии нейтральных частиц, не осложняемой появлением полей, противодействующих диффузии. [8]
Одной из таких причин является конечная скорость диффузии неосновных носителей в базе, порождающая так называемую диффузионную задержку между появлением сигнала на базе и реагированием цепи коллектора. [9]
В этой теории ток вычисляется как ток диффузии неосновных носителей к области п - р-перехода. Определяющий этот ток градиент концентрации находится из решения уравнения (57.5) для п - и / 7-областей, где поле Е считается равным нулю. Граничные условия для концентраций на границе п - и р-областей с областью объемного заряда определяются из соотношения Больцмана. [10]
Метод движущегося светового луча позволяет измерять коэффициент диффузии неосновных носителей заряда, з при использовании двух образцов также скорость поверхностно. [11]
Первый член правой части (3.24) отражает влияние конечной скорости диффузии неосновных носителей в базе транзистора, второй-дополнительное увеличение инерционности вследствие образования цепи RKCK, имеющей конечную постоянную времени. [12]
Таким образом, действие электрического поля эквивалентно удвоению коэффициента диффузии неосновных носителей. [13]
Первый член правой части (3.25) отражает влияние конечной скорости диффузии неосновных носителей в базе транзистора, второй - дополнительное увеличение инерционности вследствие образования цепи RKCK, имеющей конечную постоянную времени. [14]
 |
Структура р-п - р транзистора.| Структура биполярного транзистора. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5