Диффузия - неосновной носитель
Cтраница 4
 |
Распределение кон. [46] |
Это выражение для плотности тока насыщения в диоде с толстой базой можно получить также, исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда в прилегающих к р - / г-переходу областях. [47]
 |
Схема определения рекомбинационных параметров структуры МДП с нестационарным слоем Шоттки. [48] |
Хорошо выраженные коллекторные свойства нестационарного слоя обеднения позволяют реализовать достаточно простой метод определения рекомбинационных параметров МДП структур, изготовленных на основе полупроводников с большой длиной диффузии неосновных носителей тока. Пусть на обе поверхности А и Б полупроводника р-типа толщиной d нанесены диэлектрические слои и полупрозрачные полевые электроды. [49]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода с толстой базой при разных напряжениях. [50] |
Это выражение для плотности тока насыщения в диоде с толстой базой можно получить также, исходя из того, что обрат - ный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда в прилегающих к р-я-переходу областях. [51]
Чтобы по формуле ( 20) определить скорость поверхностной рекомбинации, в добавление к экспериментально измеренной постоянной времени т0 необходимо знать объемное время жизни t и коэффициент диффузии неосновных носителей тока D. [52]
Если к диоду приложено напряжение в прямом направлении, то протекает прямой ток 1Д, причем в области базы этому току соответствуют две составляющие: дырочный ток 1р, обусловленный диффузией неосновных носителей ( дырок) от перехода к выводу базы, и электронный ток, обусловленный потоком электронен через вывод базы, обеспечивающих нейтрализацию заряда дырок, инжектируемых из эмиттера в базу. Значения этих токов в базе зависят от концентрации дырок р и их распределения р ( х) в базе. Концентрация р имеет наибольшее значение на границе р - п-пере-хода ( л: 0) и убывает по мере удаления от границы в сторону вывода базы: р ( х) - р0 ехр ( - x / Lp), где Lp - диффузионная длина, параметр, характеризующий материал базы. [53]
Каждый слиток монокристаллического кремния помещается в полиэтиленовый пакет, пакет заваривается и укладывается в картонную или пластмассовую тару с мягкой прокладкой, обеспечивающей его сохранность; в тару со слитком вкладываются этикетки, где указываются: наименование предприятия-изготовителя; наименование материала; марка кремния; номер слитка; масса слитка, дата изготовления; фамилия или номер упаковщика; номер документа о качестве кремния, где указаны дополнительные данные: диаметр, длина и масса слитка; тип проводимости; наибольшие и наименьшие значения удельного сопротивления по каждому из торцов; плотность дислокаций на нижнем торце слитка для марок с плотностью дислокаций не более 104 см-2; длина диффузии неосновных носителей заряда для марок с длиной диффузии более 0 2 мм; дата изготовления слитка; номер технических условий; штамп ОТК. [54]
 |
Изменение длины и конфигурации. [55] |
При меньших напряжениях область объемного заряда практически обрывается. Величина тока через канал определяется длиной диффузии неосновных носителей, скоростью их генерации ( рекомбинации) и длиной канала. [56]
Уменьшение толщины области базы W ограничивается рядом причин и, в частности, необходимостью создания омического контакта с областью базы. Реальное значение W0 003 см. Длина диффузии неосновных носителей заряда Le в сильно легированном германии относительно мала. [57]
В биполярных транзисторах очень существенным механизмом проводимости является движение нессновных носителей в теле базы, которое подчиняется законам диффузии. Несмотря на малую толщину базы, время диффузии неосновных носителей заряда в ней бывает заметным по сравнению с периодом колебаний часто даже не очень высокой частоты. Поэтому в схемах с биполярными транзисторами необходимо учитывать оба механизма влияния частоты: влияние емкостей и изменение свойств самого триода. [58]
Поверхностная составляющая зависит от напряжения обратного смещения вследствие наличия краевого поля, действующего на поверхность полупроводника вблизи объемного заряда. Горизонтальная составляющая краевого поля оказывает большое влияние на диффузию неосновных носителей на поверхности полупроводника вблизи области объемного заряда р-л-перехода. Для несимметричного перехода ( при условии, что рп рр) обратный ток в основном задается дырками, генерируемыми на поверхности полупроводника. [59]
Спейсистор - усилительный полупроводниковый прибор с р - n - переходом, отличающийся тем, что управление током осуществляется при помощи электрода, введенного в область объемного заряда р - / г-перехода, т.е. в пределы обедненного слоя. Прохождение тока через такой прибор не связано с относительно медленным процессом диффузии неосновных носителей, как это имеет место в обычном транзисторе, поэтому изобретатели С. Однако за время, прошедшее с момента изобретения С. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5