Диффузия - неосновной носитель
Cтраница 3
При частичном отпирании диода к зарядам р-п-перехода добавляются заряды в соседних р и п областях, вызванные диффузией неосновных носителей. Эта диффузионная емкость резко изменяется при малых изменениях управляющего напряжения ( на несколько порядков больше, чем барьерная емкость), но сильно уменьшается с ростом частоты, и на достаточно высоких частотах ее влияние можно не учитывать, особенно в диапазоне СВЧ. [31]
 |
Прямые ветви В АХ диода при разных температурах ( а, при разной ширине запрещенной зоны исходного материала ( б и при разной концентрации примесей в прилегающих к p - n - переходу областях ( в. [32] |
Это приводит к уменьшению граничной концентрации неосновных носителей заряда около p - n - перехода и к появлению диффузии неосновных носителей к переходу - идет диффузионный ток неосновных носителей, возникающих в результате тепловой генерации в объеме п - и р-областей диода, а также на омических переходах. [33]
Таким образом, по спектральному распределению фотопроводимости можно определить диффузионную длину и скорость говерхностной рекомбинации, если коэффициент диффузии неосновных носителей заряда известен. Нужно отметить, что в выражение (4.17) не входит скорость генерации неравновесных носителей зраяда, а потому фотопроводимость выражают в относительных единицах. [35]
Это выражение для плотности тока насыщения можно также получить исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда от невыпрямляющих контактов к электронно-дырочному переходу по прилегающим к переходу областям. [37]
Итак, в фотодиодном режиме Tnpa26 / 2Dp, где w § - толщина базы, Dp - коэффициент диффузии неосновных носителей, определяет время диффузии носителей от зоны их генерации до р-п перехода. [38]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода при разных обратных напряжениях, поясняющее увеличение обратного тока в диоде с тонкой базой. [39] |
Это выражение для плотности тока насыщения можно также получить, исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда от омических переходов к р-и-переходу по прилегающим к переходу областям. [40]
На высоких частотах / 3 2 / ( лтэф) диффузионная емкость уменьшается с ростом частоты до нуля, так как для диффузии неосновных носителей через базу необходимо время тэф, а в течение малого периода ГСтЭф заряд не успевает измениться. Тогда вместо U, надо подставлять U ( t), а емкость изменяется во времени. Для быстро меняющихся импульсных сигналов формула (2.20) непригодна. [41]
 |
Структура п - /. - я-траизистора с диодом Шоттки ( з к его эквивалентная схема ( б. [42] |
Процессы накопления неосновных носителей и их последующего рассасывания при переводе транзистора в режим отсечки или в выключенное состояние связаны с относительно медленным процессом диффузии неосновных носителей заряда. [43]
Это выражение для плотности тока насыщения в диоде с толстой базой можно получить также исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей в прилегающих к электронно-дырочному переходу областях. [44]
Ток через р - n - переход, в переходной области которого скорости рекомбинации и генерации малы, почти полностью определяется инжекцией и диффузией неосновных носителей, а при обратном смещении - накоплением неосновных носителей на расстоянии диффузионной длины с обеих сторон от перехода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5