Диффузия - неосновной носитель
Cтраница 5
Из формулы ( 4 - 60) следует, что с ростом частоты величина модуля коэффициента передачи тока эмиттера а уменьшается. Частотные свойства транзистора улучшаются с уменьшением толщины базы и с увеличением коэффициента диффузии неосновных носителей заряда. Однако уменьшение толщины базы сопровождается увеличением ее объемного сопротивления. Более высокими рабочими частотами обладают транзисторы, изготовленные из материала с большей подвижностью носителей заряда. [61]
 |
Поляризационные кривые анодного выделении кислорода на меди при 80 С в растворах NaOH. 2 5 н. ( /, 6 25 н. ( 2 и 8 75 н. ( 3 [ 9, с. 632 ]. [62] |
При этом электрон переходит в зону проводимости, а электронный дефект в виде комплекса ZnO е может принимать участие в анодных реакциях. Наблюдающийся на i - ф-кривой предельный ток при потенциале 1 В определяется диффузией неосновных носителей тока - дырок. Значение предельного тока зависит как от концентрации дырок, так и от интенсивности освещения. [63]
Страницы: 1 2 3 4 5