Встроенный канал

Cтраница 1

Встроенный канал не имеет собственной аппаратуры и реализует все свои функции с помощью регистров и управляющих схем процессора. Встроенный канал имеет только косвенный доступ к памяти. В вычислительных системах невысокой производительности каналы встраиваются в процессоры с целью экономии оборудования. Обычно в виде встроенных каналов реализуются только мультиплексные каналы. Селекторные каналы почти всегда выполняются как автономные устройства, либо они имеют очень небольшую степень совмещения оборудования с процессором. [1]

Выходные и передаточные характеристики МДП. [2]

Встроенный канал л-типа ( см. рис. ЗЛ26) обладает умеренным сопротивлением. С ростом приложенного затвору отрицательного напряжения концентрация носителей заряда в канале уменьшается и в нем появляется обедненный слой. При определенном отрицательном напряжении на затворе ток в канале прекращается. [3]

Возникновение встроенного канала не исключает возможности практического использования МОП-транзистора. Такие транзисторы способны работать при обеих полярностях напряжения на затворе. Однако наибольшее распространение имеют МОП-транзисторы с индуцированным каналом, хотя они могут работать только при одной полярности напряжения на затворе. [4]

Физическая структура МОП-транзисторов с каналом п-типа. а - встроенный канал. б - индуцированный капа. ].| Стоко-затвор-ные характеристики. [5]

МОП-транзисторы со встроенным каналом находят применение в аналоговой технике. В дискретной технике употребляются МОП-транзисторы с индуцированным каналом. При их включении напряжение на стоке должно быть одной полярности с напряжением на затворе, при котором образуется канал проводимости. Когда на затворе нулевое напряжение, ток в цепи сток - исток отсутствует, так как обе эти области электрически изолированы друг от друга. Когда к затвору транзистора с каналом л-типа приложено положительное напряжение, в слое полупроводника подложки под затвором происходит инверсия типа проводимости поверхностного слоя между истоком и стоком за счет концентрации свободных электронов. [6]

Транзистор с встроенным каналом здесь применяется потому, что напряжение запирания у него положительно, тогда как линейный участок проходной характеристики заходит в область отрицательных напряжений на затворе. [7]

Структура части МДП-транзистора, принятая для расчета выходных статических характеристик. [8]

МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. [9]

Транзистор со встроенным каналом может проводить как при положительном смещении, так и отрицательном. Для его запирания требуется положительное смещение при дырочной проводимости канала и отрицательное смещение при электронной проводимости J. Возможность управления потенциалом любой полярности в ряде случаев позволяет заметно упростить схемы. [10]

МДП-транзисторы со встроенным каналом ( рис. 3.12.6), в которых канал между истокам и стоком создается технологическим путем. [11]

Полярность напряжений между электродами полевых транзисторов в рабочем режиме. [12]

МДП-транзисторы с технологически встроенным каналом имеют канал и - или / 7-типа. Встроенный в процессе технологического изготовления транзистора канал самоизолируется от подложки обедненным слоем р-п перехода. Основная особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом заключается в возможности их работы в режиме объединения и обогащения встроенного канала подобно рассмотренной выше работе МДП-транзистора с индуцированным каналом и-типа. [13]

Полярность напряжений между электродами полевых транзисторов в рабочем режиме. [14]

МДП-транзисторы с технологически встроенным каналом имеют канал и - или р-типа. Встроенный в процессе технологического изготовления транзистора канал самоизолируется от подложки обедненным слоем р-п перехода. Основная особечность МДП-транзисторов со встроенным каналом заключается в возможности их работы в режиме объединения и обогащения встроенного канала подобно рассмотренной выше работе МДП-транзистора с индуцированным каналом и-типа. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5