Cтраница 5
Важными параметрами полевых транзисторов с встроенным каналом являются: / с. Haco-напряжение между стоком и истоком при нулевом смещении на затворе, при котором наступает насыщение тока стока; У.с. откр-статическое сопротивление между стоком и истоком, измеренное при малом напряжении между стоком и истоком и нулевом смещении; U0 - пороговое напряжение затвора; / с. [61]
Транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. [62]
Используются два МОП транзистора со встроенным каналом ( с обеднением) и общее сопротивление в истоках. [63]
МОП-транзистор может быть выполнен со встроенным каналом. Например, на рис. 19, а приведена схема устройства такого транзистора с n - каналом. [64]
В случае однопроцессорных систем со встроенными каналами имеется только одно устройство ( процессор), которое может инициировать обращение к ОЗУ. В этом случае передача информации между процессором и ОЗУ ничем не отличается от внутренних передач процессора. В качестве метода передачи информации используется передача со стробирова-нием по внутренним синхронизирующим импульсам процессора. Понятие интерфейса ОЗУ для таких систем практически теряет смысл. [65]