Встроенный канал
Cтраница 3
МДП транзисторы с встроенным каналом могут работать в обоих режимах - обогащения и обеднения, в то время как транзисторы с индуцированным каналом - лишь в режиме обогащения. [31]
 |
Электрическая схема двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ типа пМОП.| Электрические схемы инвертора ( а и двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ ( б типа КМОП. [32] |
Транзистор VT3 с встроенным каналом ( с обеднением) и соединенными истоком и затвором выполняет роль нагрузочного резистора, в отличие от него имеет меньшую площадь и, являясь почти генератором тока, улучшает быстродействие элемента. [33]
В МОП-транзисторе с встроенным каналом ( рис. 4 - 31, а) между истоком и стоком создан тонкий поверхностный канал, тип электропроводности которого совпадает с типом электропроводности областей истока и стока. [34]
 |
Структуры полевых транзисторов с изолированным затвором. [35] |
МДП транзисторы со встроенным каналом ( рис. 2 - 71, а) снабжаются каналом, создаваемым технологическими приемами при их изготовлении, чаще всего путем диффузионного введения примеси, изменяющей тип проводимости тонкого слоя на поверхности полупроводниковой пластинки. Если, как это показано на рис. 2 - 71, о, канал / имеет проводимость n - типа, то при подаче на затвор напряжения отрицательной полярности часть основных носителей ( электронов) вытесняется из канала и его проводимость уменьшается. [36]
В МДП-тран-зисторе со встроенным каналом ( рис. 3.13 в) эта характеристика располагается посредине семейства. Выше ее идут характеристики, соответствующие режиму обогащения, а ниже-режиму обеднения. [37]
В МДП-транзисторах со встроенным каналом ( рис. 6.8, б) у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой - канал, который соединяет исток со стоком. [38]
В МДП-транзисторе со встроенным каналом ( см. рис. 5.33, 0) эта характеристика располагается посредине семейства. Выше ее идут характеристики, соответствующие режиму обогащения, ниже - режиму обеднения. [39]
В МДП-транзисторах со встроенным каналом ( рис. 3.50) технологически создается канал, который обладает некоторой начальной проводимостью. Напряжение, подаваемое на затвор, может изменять эту проводимость как в сторону увеличения, так и в сторону уменьшения. Поэтому такой транзистор может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. [40]
В МДП-транзисторах со встроенным каналом ( рис. 6.8, б) у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой - канал, который соединяет исток со стоком. [41]
Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом показано на рис. 4.27, о. В пластине полупроводника ( обычно кремния) р-тяиа. Невыпрямляющие контакты истока 3 и стока 4 подведены к сильно легированным - областям по - оКщения лупроводника на краях проводящего канала, одна из которых является истоком, другая - стоком. [42]
В МДП-транзисторах со встроенным каналом технологически создается канал, который обладает некоторой начальной проводимостью. Напряжение, подаваемое на затвор, может изменять эту проводимость как в сторону увеличения, так и в сторону уменьшения. Поэтому такой транзистор может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. [43]
В МОПТ с встроенным каналом л-типа ( рис. 57) тонкую ( доли микрометра) область канала 7, соединяющую области истока 3 и стока 8, изготовляют ионным легированием и диффузией примеси. [44]
Он также оснащен встроенными каналами связи, позволяющими изменять конфигурацию приборов, составлять отчеты и передавать данные на верхний уровень. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5