Встроенный канал

Cтраница 4

Схемные обозначения МДП-транзисторов. [46]

МДП-транзисторы являются приборами со встроенным каналом. [47]

Управляющее напряжение транзисторов с встроенным каналом может быть как положительным, так и отрицательным. [48]

Основой полевого транзистора с встроенным каналом служит пластинка ( подложка) монокристаллического кремния р-типа. Зоны истока и стока представляют собой области кремния, сильно легированные примесью n - типа. Затвором служит металлическая пластинка, изолированная от полупроводника слоем диэлектрика. В транзисторе с индуцированным каналом металлический затвор и полупроводниковый материал / г-типа, разделенные диэлектриком, образуют плоский конденсатор. Если на металлический затвор подать положительное напряжение, то положительный заряд затвора индуцирует соответствующий отрицательный заряд в полупроводниковой области канала. В транзисторе с встроенным каналом между истоком и стоком методом диффузии создают канал с проводимостью / г-типа, а подложку с проводимостью р-типа. [49]

Мультиплексный канал ЕС-1020 является встроенным каналом. Собственное оборудование МК включает регистр управления, входной и выходной регистры данных и схему управления интерфейсом. Все функции МК выполняет процессор с помощью микропрограммы канала, которая использует имеющиеся в процессоре узлы связи для выполнения операций канала по управлению вводом-выводом. Для каждого подканала в мультиплексной памяти МК, которая является неадресуемой областью ОП, выделена область в 16 байт. [50]

Ячейка ЗУПВ с нагрузочными транзисторами с встроенным каналом. [51]

Применение нагрузочного транзистора с встроенным каналом позволяет при прочих равных условиях получить более высокое значение напряжения логической 1 в триггере. В данном случае напряжение питания полностью передается на затвор открытого активного транзистора триггера, так что размеры транзисторов Т3, Г4 можно сделать меньше. [52]

В полевых транзисторах со встроенным каналом у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе существует инверсный слой - канал. [53]

В полевых транзисторах со встроенным каналом ( рис. 1.15 6) при подаче на затвор отрицательного относительного истока потенциала ( для канала n - типа), в канале индуцируются положительные заряды и формируется обедненный слой, который увеличивает удельное сопротивление канала. Такой режим называют режимом обеднения канала носителями заряда. [54]

Схемные обозначения МДП-транзисторов. [55]

МДП-транзисторы являются приборами со встроенным каналом. [56]

Выходные характеристики МОП-транзистора с встроенным каналом л-типа показаны на рис. 58, а. Значение t / зи - ПРИ котором / с МОПТ с встроенным каналом достигает заданного малого значения, называют ( как и для ПТ с управляющим p - n - переходом) напряжением отсечки С / зи. [57]

Кроме того, МОП-транзисторы со встроенным каналом могут управляться и со стороны подложки подобно транзисторам с затвором в виде р-п - перехода, что дает им ряд схемотехнических преимуществ. [58]

Существуют также полевые транзисторы со встроенным каналом, которые могут работать как при положительном, так и при отрицательном потенциале затвора относительно полупроводниковой пластины. В этих транзисторах канал, например, р-типа ( см. рис. 212, б), между истоком и стоком создают заранее. В зависимости от полярности напряжения концентрация носителей в канале может либо уменьшаться, либо возрастать. Такой транзистор работает как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. [59]

Вольт-амперные характеристики МДП полевого транзистора с встроенным каналом. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5