Встроенный канал

Cтраница 2

В МДП-транзисторе со встроенным каналом ( рис. 5.21, в) эта характеристика располагается посредине семейства. Выше ее идут характеристики, соответствующие режиму обогащения, ниже - режиму обеднения. [16]

Выходные харакетристики полевого транзистора с управляющим /. - - переходом и каналом л-типа. [17]

Характеристики ПТИЗ со встроенным каналом при нулевом напряжении на затворе имеют начальное значение тока / с. Такие транзисторы могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. При увеличении напряжения на затворе канал обогащается и ток стока растет, а при уменьшении напряжения на затворе канал обедняется и ток стока снижается. [18]

У транзисторов с встроенным каналом ( рис. 7.11, а) уже при нулевом напряжении затвора имеются достаточная проводимость канала и соответствующий ток стока. При увеличении отрицательного напряжения затвора концентрация электронов в канале снижается, проводимость канала и ток стока падают. При увеличении положительного напряжения затвора канал обогащается электронами, его проводимость и ток стока возрастают. Таким образом, в данном случае управление током возможно как положительным, так и отрицательным напряжением затвора. [19]

Гидравлическая модель, иллюстрирующая принцип работы усилителя на МДП-траизисторе и на полевом транзисторе. [20]

Существуют МДП-транзисторы с встроенным каналом в виде тонкого приповерхностного слоя, который обычно изготовляют методами ионного легирования. Проводимость встроенного канала модулируется при обеих полярностях напряжения на затворе. Поскольку в таких транзисторах канал существует при нулевых напряжениях на затворе, значение порогового напряжения для них теряет смысл. Для транзисторов с встроенным каналом вместо порогового напряжения вводят параметр - напряжение отсечки. Это напряжение, при котором равновесные электроны уходят из встроенного канала, в результате чего цепь исток - сток разрывается. В дальнейшем рассматриваются только транзисторы с индуцированным / i-кана-лом как наиболее распространенные. [21]

Структуры полевых транзисторов с изолированным затвором ( с р-каналом. [22]

В МДП-транзисторах со встроенным каналом ( рис. 6.8, б) у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой - канал, который соединяет исток со стоком. [23]

Схемы включения полевых транзисторов. [24]

Полевые транзисторы со встроенным каналом могут работать при смещении зи О ( Рис - 4 - 8, а, б), что выгодно отличает их от других усилительных приборов, так как они не нуждаются в дополнительном питании цепи затвора по постоянному току. [25]

Схемы включения полевых транзисторов. [26]

Полевые транзисторы со встроенным каналом могут работать при смещении изи0 ( рис. 4 - 8, а, б), что выгодно отличает их от других усилительных приборов, так как они не нуждаются в дополнительном питании цепи затвора по постоянному току. [27]

Конструкция ( а и условные обозначения ( б МОП-транзисторов с индуцированным каналом.| Статические характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом. [28]

В МОП-транзисторах со встроенным каналом проводящий канал между истоком и стоком создается технологическим путем, так что при нулевом напряжении на затворе канал имеет некоторую проводимость, которая может уменьшаться или увеличиваться под действием U3 разных знаков. [29]

Устройство прибора со встроенным каналом схематически представлено на рис. 6.2. Основой служит пластинка слаболегированного кремния с электропроводностью р-типа. Области стока и истока обладают электропроводностью я - типа. Их соединяет узкая слаболегированная область кремния с электропроводностью и-типа - встроенный канал. Затвор представляет собой металлический слой, изолированный от канала тонким диэлектриком. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5